FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IPD60R280P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Infineon Technologies	2,900 En stock	1 : $1.67000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.39799 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	12A (Tc)	10V	280mOhm a 3.8A, 10V	4V a 190µA	18 nC @ 10 V	±20V	761 pF @ 400 V	-	53W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R360P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Infineon Technologies	4,235 En stock	1 : $1.88000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.45706 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	9A (Tc)	10V	360mOhm a 2.7A, 10V	4V a 140µA	13 nC @ 10 V	±20V	555 pF @ 400 V	-	41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPD60R180P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Infineon Technologies	9,059 En stock	1 : $2.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.50403 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPLK60R360PFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK Infineon Technologies	2,892 En stock	1 : $2.10000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.49112 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ PFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	13A (Tc)	10V	360mOhm a 2.9A, 10V	4.5V a 140µA	12.7 nC @ 10 V	±20V	534 pF @ 400 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-52	8-PowerTDFN
ISC0802NLSATMA1 MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON Infineon Technologies	9,281 En stock	1 : $2.35000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.57425 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	22A (Ta), 150A (Tc)	4.5V, 10V	3.6mOhm a 50A, 10V	2.3V a 92µA	73 nC @ 10 V	±20V	5190 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-7	8-PowerTDFN
IPP60R180P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 Infineon Technologies	5,801 En stock	1 : $2.72000 Tubo	-	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPAN60R125PFD7SXKSA1 MOSFET N-CH 650V 25A TO220 Infineon Technologies	7,042 En stock	1 : $3.03000 Tubo	-	CoolMOS™PFD7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	25A (Tc)	10V	125mOhm a 7.8A, 10V	4.5V a 390µA	36 nC @ 10 V	±20V	1503 pF @ 400 V	-	32W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO220-FP	TO-220-3 paquete completo
IPB60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK Infineon Technologies	1,935 En stock	1 : $3.09000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.90260 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	18A (Tc)	10V	180mOhm a 5.6A, 10V	4V a 280µA	25 nC @ 10 V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPT020N10N3ATMA1 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Infineon Technologies	8,641 En stock	1 : $5.62000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.88675 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	300A (Tc)	6V, 10V	2mOhm a 150A, 10V	3.5V a 272µA	156 nC @ 10 V	±20V	11200 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
IPB038N12N3GATMA1 MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK Infineon Technologies	5,019 En stock	1 : $5.63000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.89000 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	120 V	120A (Tc)	10V	3.8mOhm a 100A, 10V	4V a 270µA	211 nC @ 10 V	±20V	13800 pF @ 60 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPT015N10N5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Infineon Technologies	20,137 En stock	1 : $5.81000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.96875 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	300A (Tc)	6V, 10V	1.5mOhm a 150A, 10V	3.8V a 250µA	211 nC @ 10 V	±20V	16000 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
ISC009N06LM5ATMA1 MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 Infineon Technologies	4,309 En stock	1 : $5.96000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $2.03800 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	41A (Ta), 348A (Tc)	4.5V, 10V	0.9mOhm a 5 0A, 10V	2.3V a 147µA	209 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 30 V	-	3W (Ta), 214W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSON-8-3	8-PowerTDFN
IPB60R060P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK Infineon Technologies	4,862 En stock	1 : $6.16000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.13275 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ P7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	48A (Tc)	10V	60mOhm a 15.9A, 10V	4V a 800µA	67 nC @ 10 V	±20V	2895 pF @ 400 V	-	164W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPT012N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF Infineon Technologies	3,574 En stock	1 : $6.27000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $2.18275 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	300A (Tc)	6V, 10V	1.2mOhm a 150A, 10V	3.8V a 280µA	223 nC @ 10 V	±20V	17000 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
IPTC014N08NM5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP Infineon Technologies	2,711 En stock	1 : $6.29000 Cinta cortada (CT) 1,800 : $2.19368 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	37A (Ta), 330A (Tc)	6V, 10V	1.4mOhm a 100A, 10V	3.8V a 230µA	180 nC @ 10 V	±20V	13000 pF @ 40 V	-	3.8W (Ta), 300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HDSOP-16-2	Módulo 16-PowerSOP
IPW60R070CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Infineon Technologies	1,124 En stock	1 : $6.47000 Tubo	-	CoolMOS™ CFD7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	31A (Tc)	10V	70mOhm a 15.1A, 10V	4.5V a 760µA	67 nC @ 10 V	±20V	2721 pF @ 400 V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-21	TO-247-3
IPB020N10N5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Infineon Technologies	8,474 En stock	1 : $6.51000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.29688 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	120A (Tc)	6V, 10V	2mOhm a 100A, 10V	3.8V a 270µA	210 nC @ 10 V	±20V	15600 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPDD60R075CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Infineon Technologies	1,388 En stock	1 : $6.54000 Cinta cortada (CT) 1,700 : $2.31000 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	40A (Tc)	-	75mOhm a 11.4A, 10V	4.5V a 570µA	51 nC @ 10 V	±20V	2102 pF @ 400 V	-	266W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HDSOP-10-1	Módulo 10-PowerSOP
IPB017N10N5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 Infineon Technologies	5,713 En stock	1 : $6.86000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.46100 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	180A (Tc)	6V, 10V	1.7mOhm a 100A, 10V	3.8V a 279µA	210 nC @ 10 V	±20V	15600 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
IPB010N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7 Infineon Technologies	4,293 En stock	1 : $6.89000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.47550 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	45A (Ta), 180A (Tc)	6V, 10V	1mOhm a 100A, 10V	4V a 280µA	208 nC @ 10 V	±20V	15000 pF @ 30 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3 Infineon Technologies	4,384 En stock	1 : $7.29000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $3.03320 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	38A (Tc)	10V	55mOhm a 18A, 10V	4.5V a 900µA	79 nC @ 10 V	±20V	3194 pF @ 400 V	-	178W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPB017N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK Infineon Technologies	1,145 En stock	1 : $7.42000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.73162 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	120A (Tc)	6V, 10V	1.7mOhm a 100A, 10V	3.8V a 280µA	223 nC @ 10 V	±20V	16900 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPL60R060CFD7AUMA1 MOSFET N CH Infineon Technologies	3,379 En stock	1 : $7.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.75037 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	40A (Tc)	10V	60mOhm a 18A, 10V	4.5V a 900µA	79 nC @ 10 V	±20V	3193 pF @ 400 V	-	219W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-VSON-4-1	4-PowerTSFN
IPT007N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF Infineon Technologies	76,499 En stock	1 : $7.76000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $2.90063 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	300A (Tc)	6V, 10V	0.75mOhm a 150A, 10V	3.3V a 280µA	287 nC @ 10 V	±20V	16000 pF @ 30 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HSOF-8-1	8-PowerSFN
IPB60R040CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3 Infineon Technologies	3,317 En stock	1 : $8.24000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $3.56242 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	50A (Tc)	10V	40mOhm a 24.9A, 10V	4.5V a 1.25mA	108 nC @ 10 V	±20V	4351 pF @ 400 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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