FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLML6246TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23 Infineon Technologies	18,671 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08733 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.1A (Ta)	2.5V, 4.5V	46mOhm a 4.1A, 4.5V	1.1V a 5µA	3.5 nC @ 4.5 V	±12V	290 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6244TRPBF MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23 Infineon Technologies	76,224 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08940 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6.3 A (Ta)	2.5V, 4.5V	21mOhm a 6.3A, 4.5V	1.1V a 10µA	8.9 nC @ 4.5 V	±12V	700 pF @ 16 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 Infineon Technologies	15,361 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09132 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	5.8A (Ta)	4.5V, 10V	24mOhm a 5.8A, 10V	2.35V a 10µA	5.4 nC @ 10 V	±20V	430 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSZ063N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON Infineon Technologies	3,888 En stock	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.42803 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	15A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	6.3mOhm a 20A, 10V	2.3V a 250µA	9.5 nC @ 10 V	±20V	650 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 38W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
IPD031N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Infineon Technologies	2,499 En stock	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.42477 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	90A (Tc)	4.5V, 10V	3.1mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	51 nC @ 10 V	±20V	5300 pF @ 15 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BSC093N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON Infineon Technologies	17,674 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.20632 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	13A (Ta), 49A (Tc)	4.5V, 10V	9.3mOhm a 40A, 10V	2V a 14µA	24 nC @ 10 V	±20V	1900 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 35W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
BSZ060NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON Infineon Technologies	3,125 En stock	1 : $0.93000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.20453 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	12A (Ta), 44A (Tc)	4.5V, 10V	6mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	890 pF @ 12 V	-	2.1W (Ta), 26W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
BSC146N10LS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 Infineon Technologies	5,071 En stock	1 : $1.04000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.61337 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	44A (Tc)	4.5V, 10V	14.6mOhm a 22A, 10V	2.3V a 23µA	10 nC @ 4.5 V	±20V	1300 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
IPD090N03LGATMA1 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Infineon Technologies	66,493 En stock	1 : $1.05000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.25760 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	40A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 30A, 10V	2.2V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	1600 pF @ 15 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO252-3-11	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFL024ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Infineon Technologies	78,541 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.26184 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	5.1A (Ta)	10V	57.5mOhm a 3.1A, 10V	4V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	340 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
BSZ024N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON Infineon Technologies	19,990 En stock	1 : $1.11000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.65660 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	24A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	2.4mOhm a 20A, 10V	2.3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 75W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
BSC050N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON Infineon Technologies	63,573 En stock	1 : $1.17000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.26883 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	18A (Ta), 85A (Tc)	4.5V, 10V	5mOhm a 50A, 10V	2V a 27µA	47 nC @ 10 V	±20V	3700 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
BSZ340N08NS3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON Infineon Technologies	4,521 En stock	1 : $1.19000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.27468 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	6A (Ta), 23A (Tc)	6V, 10V	34mOhm a 12A, 10V	3.5V a 12µA	9.1 nC @ 10 V	±20V	630 pF @ 40 V	-	2.1W (Ta), 32W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerTDFN
BSC059N04LSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON Infineon Technologies	21,532 En stock	1 : $1.20000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.27835 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	16A (Ta), 73A (Tc)	4.5V, 10V	5.9mOhm a 50A, 10V	2V a 23µA	40 nC @ 10 V	±20V	3200 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
BSC052N03LSATMA1 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON Infineon Technologies	7,114 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.28018 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	17A (Ta), 57A (Tc)	4.5V, 10V	5.2mOhm a 30A, 10V	2V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	770 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta), 28W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
IRFR220NTRPBF MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Infineon Technologies	12,962 En stock	1 : $1.23000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.31832 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	5A (Tc)	10V	600mOhm a 2.9A, 10V	4V a 250µA	23 nC @ 10 V	±20V	300 pF @ 25 V	-	43W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BSZ0506NSATMA1 MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON Infineon Technologies	18,486 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.28840 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	4.4mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	950 pF @ 15 V	-	2.1W (Ta), 27W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
BSC054N04NSGATMA1 MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON Infineon Technologies	12,854 En stock	1 : $1.24000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.28840 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	17A (Ta), 81A (Tc)	10V	5.4mOhm a 50A, 10V	4V a 27µA	34 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 57W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
ISC058N04NM5ATMA1 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8 Infineon Technologies	43,823 En stock	1 : $1.25000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.29215 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	17A (Ta), 63A (Tc)	7V, 10V	5.8mOhm a 31A, 10V	3.4V a 13µA	16 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 20 V	-	3W (Ta), 42W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8 FL	8-PowerTDFN
BSC340N08NS3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5 Infineon Technologies	11,588 En stock	1 : $1.29000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.30271 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	7A (Ta), 23A (Tc)	6V, 10V	34mOhm a 12A, 10V	3.5V a 12µA	9.1 nC @ 10 V	±20V	756 pF @ 40 V	-	2.5W (Ta), 32W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-5	8-PowerTDFN
BSC0504NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 21A/72A TDSON Infineon Technologies	18,609 En stock	1 : $1.31000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.30723 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21A (Ta), 72A (Tc)	4.5V, 10V	3.7mOhm a 30A, 10V	2V a 250µA	15 nC @ 10 V	±20V	960 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta), 30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
BSZ0902NSATMA1 MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON Infineon Technologies	0 En stock 41,647 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $1.34000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.31636 Cinta y rollo (TR) 587 : $0.51000 Granel	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	19A (Ta), 40A (Tc)	4.5V, 10V	2.6mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 15 V	-	2.1W (Ta), 48W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
IRF8734TRPBF MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Infineon Technologies	143,142 En stock	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.33465 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21A (Ta)	4.5V, 10V	3.5mOhm a 21A, 10V	2.35V a 50µA	30 nC @ 4.5 V	±20V	3175 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
BSZ099N06LS5ATMA1 MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON Infineon Technologies	13,325 En stock	1 : $1.37000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.32411 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	11A (Ta), 46A (Tc)	4.5V, 10V	9.9mOhm a 20A, 10V	2.3V a 14µA	8.6 nC @ 4.5 V	±20V	1300 pF @ 30 V	-	2.1W (Ta), 36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-FL	8-PowerTDFN
BSC032N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON Infineon Technologies	23,100 En stock	1 : $1.40000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.33520 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	21A (Ta), 98A (Tc)	4.5V, 10V	3.2mOhm a 50A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 52W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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