FET simple, MOSFET

Resultados : 492
Serie
-CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CFSDCoolMOS™ G7CoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal N
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V560 V600 V650 V700 V800 V900 V950 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
1.5 A (Tc)1.7 A (Tc)1.9 A (Tc)2 A (Tc)2.3 A (Tc)2.4 A (Tc)2.5 A (Tc)2.6 A (Tc)3 A (Tc)3.1 A (Tc)3.2 A (Tc)3.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V13V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
17mOhm a 58.2A, 10V18mOhm a 58.2A, 10V19mOhm a 58.3A, 10V24mOhm a 42.4A, 10V28mOhm a 28.8A, 10V29mOhm a 35.8A, 10V31mOhm a 32.6A, 10V33mOhm a 28.9A, 10V35mOhm a 24.9A, 10V37mOhm a 29.5A, 10V37mOhm a 32.6A, 10V37mOhm a 33.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1.1mA3.5V a 1.2mA3.5V a 100µA3.5V a 110µA3.5V a 120µA3.5V a 130µA3.5V a 140µA3.5V a 150µA3.5V a 170µA3.5V a 1mA3.5V a 2.9mA3.5V a 200µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.2 nC @ 10 V3.8 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.6 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V4.8 nC @ 400 V5.8 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V6.8 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V±20V±30V-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
80 pF @ 500 V84 pF @ 100 V93 pF @ 100 V120 pF @ 500 V124 pF @ 100 V130 pF @ 400 V134 pF @ 400 V140 pF @ 100 V150 pF @ 500 V158 pF @ 400 V169 pF @ 400 V174 pF @ 400 V
Disipación de potencia (Máx.)
5W (Tc)6W (Tc)6.1W (Tc)6.2W (Tc)6.3W (Tc)6.4W (Tc)6.5W (Tc)6.7W (Tc)6.8W (Tc)6.9W (Tc)7W (Tc)7.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-
Tipo de montaje
-Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
8-ThinPak (5x6)-D2PAK (TO-263)PG-HDSOP-10-1PG-HSOF-8-2PG-SOT223PG-SOT223-3PG-SOT223-3-1PG-SOT223-4PG-TDSON-8-52PG-TO220 paquete completoPG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFNMódulo 10-PowerSOP-Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAConductores stub TO-251-3, IPAKTO-220-3TO-220-3 paquete completoTO-247-3TO-247-4TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63TO-261-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
492Resultados
Demostración
de 492
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
IPN60R1K0CEATMA1
IPN60R2K1CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Infineon Technologies
14,127
En stock
1 : $0.62000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17714
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
3.7 A (Tc)
10V
2.1Ohm a 800mA, 10V
3.5V a 60µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
PG-TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
20,218
En stock
1 : $0.77000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.22852
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
5 A (Tc)
10V
1.5Ohm a 1.1A, 10V
3.5V a 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-SOT223
IPN80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
7,107
En stock
1 : $0.86000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25377
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
1.9 A (Tc)
10V
3.3Ohm a 590mA, 10V
3.5V a 30µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
120 pF @ 500 V
-
6.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Infineon Technologies
13,576
En stock
1 : $0.93000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.28507
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.7A, 10V
4V a 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
363 pF @ 400 V
-
30W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
9,716
En stock
1 : $0.97000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.29856
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
8.5 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.8A, 10V
3.5V a 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-SOT223
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
16,071
En stock
1 : $1.02000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.30706
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
2 A (Tc)
10V
3.7Ohm a 800mA, 10V
3.5V a 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
PG-TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
99,539
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.35825
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5 A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
6,462
En stock
1 : $1.42000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.46212
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.8A, 10V
4V a 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-SOT223
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Infineon Technologies
10,463
En stock
1 : $1.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.46687
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
6 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 2.7A, 10V
3.5V a 140µA
15 nC @ 10 V
±20V
478 pF @ 400 V
-
7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
8,736
En stock
1 : $1.51000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.50400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9 A (Tc)
10V
360mOhm a 2.7A, 10V
4V a 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
27,972
En stock
1 : $1.75000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.60988
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm a 5.6A, 10V
4V a 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
4,569
En stock
1 : $1.80000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.63025
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
5.7 A (Tc)
10V
950mOhm a 3.6A, 10V
3.9V a 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Infineon Technologies
7,137
En stock
1 : $1.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.64275
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
10.6 A (Tc)
10V
380mOhm a 3.8A, 10V
4.5V a 320µA
19 nC @ 10 V
±20V
877 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO263-3
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
2,370
En stock
1 : $2.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.78354
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.8A, 10V
4V a 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO252-3
SPD06N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
1,059
En stock
1 : $2.18000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.81225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
6 A (Ta)
10V
900mOhm a 3.8A, 10V
3.9V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Infineon Technologies
6,615
En stock
1 : $2.46000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.94675
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
225mOhm a 4.8A, 10V
4V a 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
2,695
En stock
1 : $2.59000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.01462
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
14 A (Tc)
10V
450mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
598
En stock
1 : $2.74000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
25 A (Tc)
10V
125mOhm a 7.8A, 10V
4.5V a 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
PG-TO220-3-1
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
6,569
En stock
1 : $2.84000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.2 A (Tc)
10V
190mOhm a 7.6A, 10V
4.5V a 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
6,933
En stock
1 : $3.13000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.29525
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
17 A (Tc)
10V
280mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
36 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 500 V
-
101W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
SPP20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Infineon Technologies
3,995
En stock
1 : $4.14000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-TO263-3-2
SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Infineon Technologies
2,798
En stock
1 : $4.14000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.86088
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220-3-1
SPP17N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Infineon Technologies
2,058
En stock
1 : $4.55000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
17 A (Tc)
10V
290mOhm a 11A, 10V
3.9V a 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,476
En stock
1 : $5.05000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO263-3
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
1,442
En stock
1 : $5.26000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.53512
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
48 A (Tc)
10V
60mOhm a 15.9A, 10V
4V a 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Demostración
de 492

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.