FET simple, MOSFET

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Opciones ambientales
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PRODUCTO DEL MERCADO
383Resultados

Demostración
de 383
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
19,925
En stock
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.15402
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
1.7 A (Tc)
13V
3Ohm a 400mA, 13V
3.5V a 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
8,575
En stock
1 : $1.20000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.31088
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
8.5 A (Tc)
10V
600mOhm a 1.8A, 10V
3.5V a 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-SOT223
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Infineon Technologies
14,166
En stock
1 : $1.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.31837
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
2 A (Tc)
10V
3.7Ohm a 800mA, 10V
3.5V a 40µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 400 V
-
6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
TO252-3
IPD60R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Infineon Technologies
8,517
En stock
1 : $1.40000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51408
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
9 A (Tc)
10V
360mOhm a 2.7A, 10V
4V a 140µA
13 nC @ 10 V
±20V
555 pF @ 400 V
-
41W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPLK60R600PFD7ATMA1
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
Infineon Technologies
222
En stock
1 : $1.94000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.54782
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
13 A (Tc)
10V
360mOhm a 2.9A, 10V
4.5V a 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-52
8-PowerTDFN
PG-TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
4,554
En stock
1 : $2.06000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.61740
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
5.7 A (Tc)
10V
950mOhm a 3.6A, 10V
3.9V a 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
21,357
En stock
1 : $2.08000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.60564
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
18 A (Tc)
10V
180mOhm a 5.6A, 10V
4V a 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8-Power TDFN
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Infineon Technologies
1,597
En stock
1 : $2.24000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.66052
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11.3 A (Tc)
10V
360mOhm a 4.5A, 10V
4.5V a 370µA
22 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 100 V
-
89.3W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-ThinPak (5x6)
8-PowerTDFN
PG-TO252-3
SPD06N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Infineon Technologies
3,609
En stock
1 : $2.47000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.78988
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
6 A (Ta)
10V
900mOhm a 3.8A, 10V
3.9V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 100 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO263-3
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,296
En stock
1 : $2.49000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.82418
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.8A, 10V
4V a 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO252-3
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Infineon Technologies
5,471
En stock
1 : $2.87000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.89950
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
225mOhm a 4.8A, 10V
4V a 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
2,027
En stock
1 : $2.88000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.98980
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
14 A (Tc)
10V
450mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
3,303
En stock
1 : $3.05000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.99960
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
7.3 A (Tc)
10V
600mOhm a 4.6A, 10V
3.9V a 350µA
27 nC @ 10 V
±20V
790 pF @ 25 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-31
SPA08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
Infineon Technologies
8,987
En stock
1 : $3.07000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
8 A (Tc)
10V
650mOhm a 5.1A, 10V
3.9V a 470µA
60 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-31
TO-220-3 paquete completo
PG-TO252-3
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Infineon Technologies
4,086
En stock
1 : $3.26000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.26420
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
17 A (Tc)
10V
280mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
36 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 500 V
-
101W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
4,440
En stock
1 : $3.29000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.2 A (Tc)
10V
190mOhm a 7.6A, 10V
4.5V a 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
598
En stock
1 : $3.60000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.22412
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
16 A (Tc)
10V
145mOhm a 6.8A, 10V
4.5V a 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
SPP20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Infineon Technologies
3,083
En stock
1 : $4.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
PG-TO263-3-2
SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Infineon Technologies
2,302
En stock
1 : $4.73000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.76775
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO263-3-2
SPB17N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Infineon Technologies
1,249
En stock
1 : $4.99000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.99762
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
17 A (Tc)
10V
290mOhm a 11A, 10V
3.9V a 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 100 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220-3-1
SPP17N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Infineon Technologies
1,882
En stock
1 : $5.18000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
17 A (Tc)
10V
290mOhm a 11A, 10V
3.9V a 1mA
177 nC @ 10 V
±20V
2320 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
IHW15N120R3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,089
En stock
1 : $5.72000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-1
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Infineon Technologies
454
En stock
1 : $16.34000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
54.9 A (Tc)
10V
85mOhm a 32.6A, 10V
3.9V a 3.3mA
288 nC @ 10 V
±20V
7520 pF @ 100 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
PG-TO247-3
IPW65R018CFD7XKSA1
650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Infineon Technologies
146
En stock
1 : $17.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
106 A (Tc)
10V
18mOhm a 58.2A, 10V
4.5V a 2.91mA
234 nC @ 10 V
±20V
11659 pF @ 400 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
IPN60R1K0CEATMA1
IPN50R2K0CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Infineon Technologies
10,393
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15300
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
3.6 A (Tc)
13V
2Ohm a 600mA, 13V
3.5V a 50µA
6 nC @ 10 V
±20V
124 pF @ 100 V
-
5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-3
TO-261-4, TO-261AA
Demostración
de 383

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.