FET simple, MOSFET

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12Resultados

Demostración
de 12
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
FDS86242
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
onsemi
4,904
En stock
1 : $2.06000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.58767
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
7.5 A (Ta)
6V, 10V
23mOhm a 7.5A, 10V
4V a 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2015 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-WDFN
FDMC86184
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
onsemi
10,752
En stock
1 : $2.78000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.85913
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
57 A (Tc)
6V, 10V
8.5mOhm a 21A, 10V
4V a 110µA
20 nC @ 6 V
±20V
2090 pF @ 50 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
FDMC86340
FDMC86160
MOSFET N CH 100V 9A POWER33
onsemi
4,475
En stock
1 : $3.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.00400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
9 A (Ta), 43 A (Tc)
6V, 10V
14mOhm a 9A, 10V
4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Power33
8-PowerWDFN
8-DFN
FDWS86068-F085
MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
onsemi
2,139
En stock
1 : $4.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.58950
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
80 A (Tc)
10V
6.4mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
2220 pF @ 50 V
-
214W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-DFN (5.1x6.3)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC034N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,656
En stock
1 : $3.33000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.48527
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
19 A (Ta), 100 A (Tc)
4.5V, 10V
3.4mOhm a 50A, 10V
2.3V a 115µA
46 nC @ 4.5 V
±20V
6500 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 156W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86181
MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
onsemi
8,204
En stock
1 : $3.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.11237
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
44 A (Ta), 124 A (Tc)
6V, 10V
4.2mOhm a 44A, 10V
4V a 250µA
59 nC @ 10 V
±20V
4125 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
5 DFN
NTMFS005N10MCLT1G
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
onsemi
3,032
En stock
1 : $2.84000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.90677
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
16 A (Ta), 105 A (Tc)
4.5V, 10V
5.1mOhm a 34A, 10V
3V a 192µA
55 nC @ 10 V
±20V
4100 pF @ 50 V
-
3W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
TO-263
FQB55N10TM
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
onsemi
1,173
En stock
27,200
Fábrica
1 : $3.05000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.05579
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
55 A (Tc)
10V
26mOhm a 27.5A, 10V
4V a 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
2730 pF @ 25 V
-
3.75W (Ta), 155W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
8-TDFN
NTMTS1D6N10MCTXG
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
onsemi
2,873
En stock
1 : $11.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $5.48513
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
36A (Ta), 273A (Tc)
10V
1.7mOhm a 90A, 10V
4V a 650µA
106 nC @ 10 V
±20V
7630 pF @ 50 V
-
5W (Ta), 291W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
5 DFN
NVMFWS015N10MCLT1G
PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
onsemi
909
En stock
1 : $1.80000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.53181
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
10.5A (Ta), 54A (Tc)
4.5V, 10V
12.2mOhm a 14A, 10V
3V a 77µA
19 nC @ 10 V
±20V
1338 pF @ 50 V
-
3W (Ta), 79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
FDB0300N1007L
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
onsemi
798
En stock
1 : $7.00000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.87200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200 A (Tc)
6V, 10V
3mOhm a 26A, 10V
4V a 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
8295 pF @ 50 V
-
3.8W (Ta), 250W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
NVMFS5C404NAFT1G
NTMFS002N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL HE
onsemi
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $4.18000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.50000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
22A (Ta), 175A (Tc)
4.5V, 10V
2.8mOhm a 50A, 10V
3V a 351µA
97 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 50 V
-
3W (Ta), 189W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
Demostración
de 12

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.