FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
6,556
En stock
1 : $5.98000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
209A (Tc)
10V
4.5mOhm a 125A, 10V
4V a 250µA
620 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
470W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
794
En stock
1 : $7.55000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
195A (Tc)
10V
1.85mOhm a 195A, 10V
4V a 250µA
570 nC @ 10 V
±20V
19230 pF @ 50 V
-
520W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
IRF150P220AKMA1
IRF150P220AKMA1
MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Infineon Technologies
5,996
En stock
1 : $9.20000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
203A (Tc)
10V
2.7mOhm a 100A, 10V
4.6V a 265µA
200 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 75 V
-
3.8W (Ta), 556W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
IXYS
1,382
En stock
1 : $16.92000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
320A (Tc)
10V
3.5mOhm a 100A, 10V
4V a 250µA
430 nC @ 10 V
±20V
26000 pF @ 25 V
-
1000W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
612
En stock
1 : $5.66000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
290A (Tc)
10V
2.6mOhm a 180A, 10V
4V a 250µA
540 nC @ 10 V
±20V
19860 pF @ 50 V
-
520W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
257
En stock
1 : $5.39000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
33A (Ta), 203A (Tc)
6V, 10V
1.7mOhm a 100A, 10V
3.8V a 278µA
210 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
3.8W (Ta), 341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-U06
TO-247-3
GT020N10TL
GT010N10TL
MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Goford Semiconductor
1,500
En stock
1 : $5.95000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $2.31000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
370A (Tc)
10V
1.35mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
184 nC @ 10 V
20V
13166 pF @ 50 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
-
-
PG-TO247-3
IRF100P219AKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Infineon Technologies
14
En stock
1 : $5.51000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
203A (Tc)
6V, 10V
1.7mOhm a 100A, 10V
3.8V a 278µA
210 nC @ 10 V
±20V
12020 pF @ 50 V
-
3.8W (Ta), 341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $5.78000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $2.22500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
300A (Ta)
6V, 10V
1.03mOhm a 150A, 10V
3.5V a 1.5mA
269 nC @ 10 V
±20V
21450 pF @ 10 V
-
750W (Tc)
175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
L-TOGL™
8-PowerBSFN
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1,800 : $1.72500
Granel
-
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
240A (Tc)
10V
1.85mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
256 nC @ 10 V
±20V
16232 pF @ 50 V
-
312.5W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 10

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.