FET simple, MOSFET

Demostración

de 20

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SCT4062KW7HRTL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	3,769 En stock	1 : $12.01000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $8.74998 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4036KW7TL 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	260 En stock	1 : $16.07000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $11.42001 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	40A (Tj)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	150W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C3M0075120J SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Wolfspeed, Inc.	4,621 En stock	1 : $16.33000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	30 A (Tc)	15V	90mOhm a 20A, 15V	4V a 5mA	51 nC @ 15 V	+19V, -8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IMBG120R090M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263 Infineon Technologies	2,553 En stock	1 : $8.54000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $3.73546 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	-	125mOhm a 8.5A, 18V	5.7V a 3.7mA	23 nC @ 18 V	+18V, -15V	763 pF @ 800 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4036KRC15 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,560 En stock	1 : $18.79000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	43 A (Tc)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	176W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT3030ALGC11 SICFET N-CH 650V 70A TO247N Rohm Semiconductor	8,797 En stock	1 : $25.52000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	70 A (Tc)	18V	39mOhm a 27A, 18V	5.6V a 13.3mA	104 nC @ 18 V	+22V, -4V	1526 pF @ 500 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4018KW7TL 1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	750 En stock	1 : $29.55000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $18.95375 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	75 A (Tj)	18V	23.4mOhm a 42A, 18V	4.8V a 22.2mA	170 nC @ 18 V	+21V, -4V	4532 pF @ 800 V	-	267W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3080ALGC11 SICFET N-CH 650V 30A TO247N Rohm Semiconductor	1,007 En stock	1 : $9.09000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	30 A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	-	134W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4062KRHRC15 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	393 En stock	1 : $12.01000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4062KEC11 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,711 En stock	1 : $13.22000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3080KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 31A TO247N Rohm Semiconductor	815 En stock	1 : $20.43000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	31 A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	60 nC @ 18 V	+22V, -4V	785 pF @ 800 V	-	165W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4062KW7TL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	894 En stock	1 : $10.97000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $5.70750 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24A (Tj)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3105KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N Rohm Semiconductor	238 En stock	1 : $13.54000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24 A (Tc)	18V	137mOhm a 7.6A, 18V	5.6V a 3.81mA	51 nC @ 18 V	+22V, -4V	574 pF @ 800 V	-	134W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3080AW7TL SICFET N-CH 650V 29A TO263-7 Rohm Semiconductor	905 En stock	1 : $13.74000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $8.23000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	29 A (Tc)	-	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	-	125W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4036KEC11 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,677 En stock	1 : $18.80000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	43 A (Tc)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	176W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3040KW7TL SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7 Rohm Semiconductor	1,237 En stock	1 : $33.08000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $25.80250 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	56 A (Tc)	-	52mOhm a 20A, 18V	5.6V a 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	-	267W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT3030KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 72A TO247N Rohm Semiconductor	579 En stock	1 : $57.36000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	72 A (Tc)	18V	39mOhm a 27A, 18V	5.6V a 13.3mA	131 nC @ 18 V	+22V, -4V	2222 pF @ 800 V	-	339W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3105KRC14 SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L Rohm Semiconductor	102 En stock	1 : $14.77000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Última compra	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24 A (Tc)	18V	137mOhm a 7.6A, 18V	5.6V a 3.81mA	51 nC @ 18 V	+22V, -4V	574 pF @ 800 V	-	134W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT3040KLGC11 SICFET N-CH 1200V 55A TO247N Rohm Semiconductor	52 En stock	1 : $35.25000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55 A (Tc)	18V	52mOhm a 20A, 18V	5.6V a 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3105KLGC11 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N Rohm Semiconductor	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $15.20000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24 A (Tc)	18V	137mOhm a 7.6A, 18V	5.6V a 3.81mA	51 nC @ 18 V	+22V, -4V	574 pF @ 800 V	-	134W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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