FET simple, MOSFET | FET, MOSFET | Transistores | DigiKey, distribuidor de componentes electrónicos

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB Infineon Technologies	26,155 En stock	1 : $1.56000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	30A (Tc)	4V, 10V	35mOhm a 16A, 10V	2V a 250µA	25 nC @ 5 V	±16V	880 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	10,343 En stock	1 : $1.94000 Tubo	-	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23A (Tc)	10V	117mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
FQP27P06 MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 onsemi	22,354 En stock	1 : $2.92000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	27A (Tc)	10V	70mOhm a 13.5A, 10V	4V a 250µA	43 nC @ 10 V	±25V	1400 pF @ 25 V	-	120W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
IRLZ44NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Infineon Technologies	4,835 En stock	1 : $2.10000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.66288 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	47A (Tc)	4V, 10V	22mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
STP55NF06L MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB STMicroelectronics	475 En stock	1 : $2.13000 Tubo	-	STripFET™ II	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	55A (Tc)	5V, 10V	18mOhm a 27.5A, 10V	1.7V a 250µA	37 nC @ 4.5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	95W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.