FET simple, MOSFET

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2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8 PowerWDFN
NTTFS6H850NLTAG
MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
onsemi
7,309
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.39474
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
14.8A (Ta), 64A (Tc)
4.5V, 10V
8.6mOhm a 10A, 10V
2V a 70µA
26 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 40 V
-
3.9W (Ta), 73W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PG-TDSON-8
BSC0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Infineon Technologies
16,440
En stock
1 : $2.43000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.71588
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
100 A (Tc)
4.5V, 10V
2.3mOhm a 50A, 10V
2.3V a 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.