FET simple, MOSFET

Resultados : 5
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
Serie
-DeepGATE™, STripFET™ VIIOptiMOS™TrenchFET®
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Estado del producto
ActivoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V30 V55 V60 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2 A (Ta)2.1 A (Ta)2.3 A (Tc)20 A (Tc)80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V4.5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6mOhm a 10A, 10V7.3mOhm a 19A, 10V80mOhm a 2A, 10V150mOhm a 2.3A, 10V160mOhm a 2.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 11µA2V a 250µA2.1V a 250µA2.5V a 250µA4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.3 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.3 nC @ 10 V80 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V±16V±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
205 pF @ 30 V300 pF @ 25 V500 pF @ 15 V3700 pF @ 10 V5680 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Ta)1.25W (Ta)2W (Tc)2.5W (Ta), 5.7W (Tc)5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOICPG-SOT23PowerFlat™ (5x6)SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, SOT-23-3 variante8-PowerVDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
5Resultados

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de 5
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
AO3422
MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,017,759
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10590
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
2.1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
160mOhm a 2.1A, 4.5V
2V a 250µA
3.3 nC @ 4.5 V
±12V
300 pF @ 25 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
307,827
En stock
1 : $0.56000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12595
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2 A (Ta)
4.5V, 10V
80mOhm a 2A, 10V
2V a 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerFlat™
STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
STMicroelectronics
88,307
En stock
1 : $2.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.99748
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
80 A (Tc)
10V
7.3mOhm a 19A, 10V
4V a 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5680 pF @ 50 V
-
5W (Ta), 100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
8-SOIC
SI4114DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Vishay Siliconix
11,030
En stock
1 : $1.64000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.73882
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
20 A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm a 10A, 10V
2.1V a 250µA
95 nC @ 10 V
±16V
3700 pF @ 10 V
-
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SOT-23-3
SQ2308CES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Vishay Siliconix
31,038
En stock
1 : $0.94000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22739
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2.3 A (Tc)
4.5V, 10V
150mOhm a 2.3A, 10V
2.5V a 250µA
5.3 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 30 V
-
2W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 5

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.