FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	1,116,395 En stock	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02550 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 50mA, 5V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN53D0LQ-7 MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23 Diodes Incorporated	138,077 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04794 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	500mA (Ta)	2.5V, 10V	1.6Ohm a 500mA, 10V	1.5V a 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	46 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2305U-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	42,016 En stock 3,441,000 Fábrica	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06825 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	60mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±8V	727 pF @ 20 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SQ1470AEH-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70 Vishay Siliconix	268,688 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16562 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.7 A (Tc)	2.5V, 4.5V	65mOhm a 4.2A, 4.5V	1.6V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±12V	450 pF @ 15 V	-	3.3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SC-70-6	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.