FET simple, MOSFET

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5Resultados

Demostración
de 5
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
FDMC2610
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
onsemi
9,446
En stock
1 : $2.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.72975
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
4.4 A (Ta), 15 A (Tc)
6V, 10V
67mOhm a 4.4A, 10V
4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
1335 pF @ 50 V
-
2.3W (Ta), 40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-MLP (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
5 DFN
NTMFS6H800NLT1G
MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
onsemi
2,665
En stock
1 : $3.63000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.23750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
30A (Ta), 224A (Tc)
4.5V, 10V
1.9mOhm a 50A, 10V
2V a 330µA
112 nC @ 10 V
±20V
6900 pF @ 40 V
-
3.9W (Ta), 214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8PowerTDFN
NTMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
3,502
En stock
1 : $2.98000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.96073
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
23 A (Ta), 157 A (Tc)
6V, 10V
2.8mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W (Ta), 166W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
5 DFN
NTMFS6H801NLT1G
MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
onsemi
1,897
En stock
37,500
Fábrica
1 : $3.00000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.96730
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
24A (Ta), 160A (Tc)
4.5V, 10V
2.7mOhm a 50A, 10V
2V a 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
5126 pF @ 40 V
-
3.8W (Ta), 167W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
TO-220F-3
FDPF12N60NZ
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
onsemi
736
En stock
1 : $3.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
650mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
34 nC @ 10 V
±30V
1676 pF @ 25 V
-
39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 5

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.