FET simple, MOSFET

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Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-264
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Littelfuse Inc.
172
En stock
1 : $19.78000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
180 A (Tc)
10V
12.9mOhm a 60A, 10V
5V a 8mA
345 nC @ 10 V
±20V
28000 pF @ 25 V
-
1390W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
TO-264
IXFB210N30P3
MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Littelfuse Inc.
217
En stock
1 : $30.89000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
210 A (Tc)
10V
14.5mOhm a 105A, 10V
5V a 8mA
268 nC @ 10 V
±20V
16200 pF @ 25 V
-
1890W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS264™
TO-264-3, TO-264AA
TO-264
IXFK150N30X3
MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Littelfuse Inc.
285
En stock
1 : $21.86000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
150 A (Tc)
10V
8.3mOhm a 75A, 10V
4.5V a 4mA
177 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264
TO-264-3, TO-264AA
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.