FET simple, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	269,262 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04488 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
	AONR21357 MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN Alpha & Omega Semiconductor Inc.	7,196 En stock	1 : $1.08000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.25220 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21 A (Ta), 34 A (Tc)	4.5V, 10V	7.8mOhm a 20A, 10V	2.3V a 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	2830 pF @ 15 V	-	5W (Ta), 30W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DFN-EP (3x3)	8-PowerVDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.