FET simple, MOSFET

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10Resultados

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de 10
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO263-3
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Infineon Technologies
2,976
En stock
1 : $4.70000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.39120
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
120 A (Tc)
10V
3.3mOhm a 100A, 10V
4.1V a 150µA
102 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 50 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO263-7
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,029
En stock
1 : $5.60000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.53825
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
180 A (Tc)
6V, 10V
1.5mOhm a 100A, 10V
3.8V a 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C604NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
onsemi
2,917
En stock
1 : $6.22000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $2.55300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
287 A (Tc)
4.5V, 10V
1.2mOhm a 50A, 10V
2V a 250µA
52 nC @ 4.5 V
±20V
8900 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
8-TDFN
NVMTS0D4N04CLTXG
MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
onsemi
3,071
En stock
69,000
Fábrica
1 : $10.88000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $5.34725
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
553.8A (Tc)
4.5V, 10V
0.4 mOhm a 50A, 10V
2.5V a 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
20600 pF @ 20 V
-
5W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
PG-SOT223-4
BSP317PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Infineon Technologies
4,655
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.33075
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
250 V
430mA (Ta)
4.5V, 10V
4Ohm a 430mA, 10V
2V a 370µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
262 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
5,918
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.27525
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150 A (Tc)
6V, 10V
3.5mOhm a 75A, 10V
3.8V a 110µA
87 nC @ 10 V
±20V
6110 pF @ 50 V
-
166W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8 PowerWDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,785
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.29682
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2.4 A (Ta)
4.5V, 10V
260mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 18W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,137
En stock
1 : $0.79000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23562
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
16 A (Tc)
4.5V, 10V
9.5mOhm a 10A, 10V
2.3V a 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
Diodo Schottky (cuerpo)
41W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PG-HSOF-8-2
IPT60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Infineon Technologies
1,971
En stock
1 : $4.26000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.53513
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
21 A (Tc)
10V
125mOhm a 6.8A, 10V
4.5V a 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
127W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
270 A (Tc)
10V
1.5mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
10-PowerSO
PowerSO-10, placa inferior descubierta
Demostración
de 10

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.