FET simple, MOSFET

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2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DG447DV-T1-E3
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
80,095
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.38010
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8 A (Tc)
4.5V, 10V
34mOhm a 6.1A, 10V
3V a 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 15 V
-
2W (Ta), 4.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
63,944
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02525
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 200mA, 10V
2.5V a 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.