FET simple, MOSFET

Resultados : 3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
3Resultados

Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
186,281
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03774
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm a 120mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2333DS-T1-GE3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
369,988
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
201,537
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04794
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.