FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	371,999 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03570 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7.5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	183,155 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04794 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6402TRPBF MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Infineon Technologies	46,754 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08610 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.7 A (Ta)	2.5V, 4.5V	65mOhm a 3.7A, 4.5V	1.2V a 250µA	12 nC @ 5 V	±12V	633 pF @ 10 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C onsemi	99,900 En stock	1 : $0.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11628 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7.5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFR5305TRLPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAK Infineon Technologies	14,316 En stock	1 : $1.87000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.50759 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31 A (Tc)	10V	65mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FDMC86139P MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP onsemi	4,782 En stock	1 : $2.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.72975 Cinta y rollo (TR)	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	4.4 A (Ta), 15 A (Tc)	6V, 10V	67mOhm a 4.4A, 10V	4V a 250µA	22 nC @ 10 V	±25V	1335 pF @ 50 V	-	2.3W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-MLP (3.3x3.3)	8-PowerWDFN
SI7850DP-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	9,043 En stock	1 : $2.54000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.83750 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6.2 A (Ta)	4.5V, 10V	22mOhm a 10.3A, 10V	3V a 250µA	27 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BSC320N20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 Infineon Technologies	9,776 En stock	1 : $3.17000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $1.34260 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	36 A (Tc)	10V	32mOhm a 36A, 10V	4V a 90µA	29 nC @ 10 V	±20V	2350 pF @ 100 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-1	8-PowerTDFN
SUM110P08-11L-E3 MOSFET P-CH 80V 110A TO263 Vishay Siliconix	36,911 En stock	1 : $4.99000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.09275 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	110 A (Tc)	4.5V, 10V	11.2mOhm a 20A, 10V	3V a 250µA	270 nC @ 10 V	±20V	10850 pF @ 40 V	-	13.6W (Ta), 375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SI4056DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO Vishay Siliconix	9,509 En stock	1 : $1.12000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.34006 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11.1 A (Tc)	4.5V, 10V	23mOhm a 15A, 10V	2.8V a 250µA	29.5 nC @ 10 V	±20V	900 pF @ 50 V	-	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
NTTFS5116PLTAG MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN onsemi	1,650 En stock	1 : $1.53000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.40950 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	5.7 A (Ta)	4.5V, 10V	52mOhm a 6A, 10V	3V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1258 pF @ 30 V	-	3.2W (Ta), 40W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-WDFN (3.3x3.3)	8-PowerWDFN

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FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.