FET simple, MOSFET

Demostración

de 4

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IXFN220N20X3 MOSFET N-CH 200V 160A SOT227B Littelfuse Inc.	232 En stock	1 : $27.79000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	160A (Tc)	10V	6.2mOhm a 110A, 10V	4.5V a 4mA	204 nC @ 10 V	±20V	13600 pF @ 25 V	-	390W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227B	SOT-227-4, miniBLOC
IXTN500N20X4 Ultra Junction X4-Class Power IXYS	195 En stock	1 : $43.47000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	500A (Tc)	10V	1.99mOhm a 100A, 10V	4.5V a 250µA	535 nC @ 10 V	±20V	41500 pF @ 25 V	-	1150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227B - miniBLOC	SOT-227-4, miniBLOC
IXFN170N25X3 MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Littelfuse Inc.	219 En stock	1 : $28.54000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	170A (Tc)	10V	7.4mOhm a 85A, 10V	4.5V a 4mA	190 nC @ 10 V	±20V	13500 pF @ 25 V	-	390W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227B	SOT-227-4, miniBLOC
VS-FC420SA10 MOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $24.15000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	435A (Tc)	10V	2.15mOhm a 200A, 10V	3.8V a 750µA	375 nC @ 10 V	±20V	17300 pF @ 25 V	-	652W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227	SOT-227-4, miniBLOC

Demostración

de 4

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.