FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138L MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	70,151 En stock 198,000 Fábrica	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05529 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	2.75V, 5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-13 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	34,411 En stock 1,020,000 Fábrica	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05057 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI4840BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Vishay Siliconix	34,991 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.63449 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	19 A (Tc)	4.5V, 10V	9mOhm a 12.4A, 10V	3V a 250µA	50 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 20 V	-	2.5W (Ta), 6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

Demostración

de 3

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.