FET simple, MOSFET

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de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
AO3422
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
756,695
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08051
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.3 A (Ta)
4.5V, 10V
48mOhm a 4.3A, 10V
3V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
19,265
En stock
1 : $3.71000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.22500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
200 V
5 A (Ta)
5V
100mOhm a 3A, 5V
2.5V a 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V, -4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
Molde
Molde
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.