FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSC014NE2LSIATMA1 MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON Infineon Technologies	14,623 En stock	1 : $1.53000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.53900 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	33 A (Ta), 100 A (Tc)	4.5V, 10V	1.4mOhm a 30A, 10V	2V a 250µA	39 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 12 V	-	2.5W (Ta), 74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-7	8-PowerTDFN
SIRC16DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	18,702 En stock	1 : $1.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.49140 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	60 A (Tc)	4.5V, 10V	0.96mOhm a 15A, 10V	2.4V a 250µA	48 nC @ 4.5 V	+20V, -16V	5150 pF @ 10 V	-	54.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIRA12BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 Vishay Siliconix	6,395 En stock	1 : $0.92000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.25092 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	27 A (Ta), 60 A (Tc)	4.5V, 10V	4.3mOhm a 10A, 10V	2.4V a 250µA	32 nC @ 10 V	+20V, -16V	1470 pF @ 15 V	-	5W (Ta), 38W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIRA32DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	1,832 En stock	1 : $1.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.40596 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	60 A (Tc)	4.5V, 10V	1.2mOhm a 15A, 10V	2.2V a 250µA	83 nC @ 10 V	+16V, -12V	4450 pF @ 10 V	-	65.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIRA26DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	2,499 En stock	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24684 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	60 A (Tc)	4.5V, 10V	2.65mOhm a 15A, 10V	2.5V a 250µA	44 nC @ 10 V	+16V, -12V	2247 pF @ 10 V	-	43.1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
GSFP04202 MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 4 Good-Ark Semiconductor	5,860 En stock	1 : $1.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.36843 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	200 A (Tc)	10V	1.7mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	65 nC @ 10 V	±20V	3650 pF @ 20 V	-	138W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PPAK (5.1x5.71)	8-PowerTDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.