FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
29A (Ta), 331A (Tc)32A (Ta), 331A (Tc)
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta), 395W (Tc)3.8W (Ta), 395W (Tc)
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-HDSOP-16-U01PG-HSOF-8
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerSFNMódulo 16-PowerSOP
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
IPT010N08NM5ATMA1
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
53
En stock
1 : $7.55000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $3.30750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
120 V
29A (Ta), 331A (Tc)
8V, 10V
1.7mOhm a 150A, 10V
3.6V a 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3W (Ta), 395W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-HSOF-8
8-PowerSFN
IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $8.36000
Cinta cortada (CT)
1,800 : $3.78500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
120 V
32A (Ta), 331A (Tc)
8V, 10V
1.7mOhm a 150A, 10V
3.6V a 275µA
141 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 60 V
-
3.8W (Ta), 395W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje en superficie
PG-HDSOP-16-U01
Módulo 16-PowerSOP
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.