FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
C3M0015065K SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	668 En stock	1 : $39.49000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	120 A (Tc)	15V	21mOhm a 55.8A, 15V	3.6V a 15.5mA	188 nC @ 15 V	+15V, -4V	5011 pF @ 400 V	-	416W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
C2M0025120D SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	412 En stock	1 : $95.30000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-FET™	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	90 A (Tc)	20V	34mOhm a 50A, 20V	2.4V a 10mA	161 nC @ 20 V	+25V, -10V	2788 pF @ 1000 V	-	463W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
C3M0060065K SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L Wolfspeed, Inc.	78 En stock	1 : $17.36000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	37 A (Tc)	15V	79mOhm a 13.2A, 15V	3.6V a 5mA	46 nC @ 15 V	+15V, -4V	1020 pF @ 600 V	-	150W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
C2M0080120D SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	3 En stock	1 : $29.82000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	C2M™	Granel	Última compra	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	36 A (Tc)	20V	98mOhm a 20A, 20V	4V a 5mA	62 nC @ 5 V	+25V, -10V	950 pF @ 1000 V	-	192W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.