FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SCT1000N170 HIP247 IN LINE STMicroelectronics	321 En stock	1 : $8.88000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7 A (Tc)	20V	1.3Ohm a 3A, 20V	3.5V a 1mA	13.3 nC @ 20 V	+22V, -10V	133 pF @ 1000 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 200°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	HiP247™	TO-247-3
UF3C170400K3S SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3 onsemi	75,363 En stock	1 : $9.14000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Cascode SiCJFET)	1700 V	7.6 A (Tc)	12V	515mOhm a 5A, 12V	6V a 10mA	27.5 nC @ 15 V	±25V	740 pF @ 100 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
MSC750SMA170B SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3 Microchip Technology	73 En stock	1 : $5.44000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	7 A (Tc)	20V	940mOhm a 2.5A, 20V	3.25V a 100µA (típico)	11 nC @ 20 V	+23V, -10V	184 pF @ 1360 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
G2R1000MT17D SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 GeneSiC Semiconductor	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $5.44000 Tubo	-	G2R™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1700 V	5 A (Tc)	20V	1.2Ohm a 2A, 20V	5.5V a 500µA	11 nC @ 20 V	+25V, -10V	111 pF @ 1000 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.