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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
479
En stock
1 : $2.92000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V270mOhm a 10A, 10V5V a 250µA76 nC @ 10 V±30V2942 pF @ 25 V-250W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-220-3
IPP045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Infineon Technologies
2,769
En stock
1 : $2.96000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V100 A (Tc)6V, 10V4.5mOhm a 100A, 10V3.5V a 150µA117 nC @ 10 V±20V8410 pF @ 50 V-214W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-3TO-220-3
PG-TO247-3
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Infineon Technologies
529
En stock
1 : $16.45000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V77.5 A (Tc)10V41mOhm a 44.4A, 10V3.5V a 2.96mA290 nC @ 10 V±20V6530 pF @ 10 V-481W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO247-3-1TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
18,824
En stock
1 : $1.79000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V18 A (Tc)10V100mOhm a 11A, 10V4.9V a 100µA29 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 50 V-100W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220-3
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
13,749
En stock
1 : $3.06000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V20.2 A (Tc)10V190mOhm a 7.6A, 10V4.5V a 630µ11 nC @ 10 V±20V1750 pF @ 100 V-151W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-3TO-220-3
TO252-3
IPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Infineon Technologies
4,980
En stock
1 : $1.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.47880
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)800 V1.9 A (Tc)10V2.8Ohm a 1.1A, 10V3.9V a 120µA12 nC @ 10 V±20V290 pF @ 100 V-42W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-TO252-3TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO252-3
IPD80R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Infineon Technologies
9,800
En stock
1 : $1.67000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.75252
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)800 V5.7 A (Tc)10V950mOhm a 3.6A, 10V3.9V a 250µA31 nC @ 10 V±20V785 pF @ 100 V-83W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-TO252-3TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
PG-TO-220-FP
IPA95R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO220
Infineon Technologies
315
En stock
1 : $3.03000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)950 V14 A (Tc)10V450mOhm a 7.2A, 10V3.5V a 360µA35 nC @ 10 V±20V1053 pF @ 400 V-30W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-FPTO-220-3 paquete completo
TO-220-3
IPP60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
1,985
En stock
1 : $3.56000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V20.2 A (Tc)10V190mOhm a 9.5A, 10V3.5V a 630µA63 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 100 V-151W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-3TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Infineon Technologies
875
En stock
1 : $3.56000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.84281
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V20.2 A (Tc)10V190mOhm a 9.5A, 10V3.5V a 630µA63 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 100 V-151W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-TO263-3TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PG-TO-220-FP
IPA60R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
Infineon Technologies
0
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1 : $1.64000
Tubo
Granel
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V10.3 A (Tc)10V400mOhm a 3.8A, 10V3.5V a 300µA32 nC @ 10 V±20V700 pF @ 100 V-31W (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-FPTO-220-3 paquete completo
Demostración
de 11

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.