FET simple, MOSFET

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18Resultados

Demostración
de 18
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
981
En stock
1 : $12.24000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
21 A (Tc)
15V
208mOhm a 12A, 15V
2.7V a 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
205
En stock
1 : $20.15000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
2000 V
34 A (Tc)
15V, 18V
98mOhm a 13A, 18V
5.5V a 7.7mA
64 nC @ 18 V
+20V, -7V
-
-
267W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
TO-247-3
NTHL015N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
onsemi
383
En stock
2,250
Fábrica
1 : $28.28000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
163 A (Tc)
15V, 18V
18mOhm a 75A, 18V
4.3V a 25mA
283 nC @ 18 V
+22V, -8V
4790 pF @ 325 V
-
643W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
726
En stock
1 : $33.07000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
61 A (Tc)
15V
58mOhm a 40A, 15V
2.7V a 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C3M0015065D
SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
445
En stock
1 : $54.00000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
120 A (Tc)
15V
21mOhm a 55.8A, 15V
3.6V a 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V, -4V
5011 pF @ 400 V
-
416W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
7,573
En stock
1 : $4.74000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
11 A (Tc)
15V
420mOhm a 4A, 15V
2.69V a 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC750SMA170B4
TRANS SJT 1700V TO247-4
Microchip Technology
101
En stock
1 : $5.61000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
7 A (Tc)
20V
940mOhm a 2.5A, 20V
3.25V a 100µA (típico)
11 nC @ 20 V
+23V, -10V
184 pF @ 1360 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
454
En stock
1 : $5.79000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
4.7 A (Tc)
15V, 18V
455mOhm a 2A, 18V
5.7V a 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V, -7V
182 pF @ 800 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,607
En stock
1 : $7.21000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
9 A (Tc)
15V
585mOhm a 4A, 15V
2.7V a 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
GP2T080A120U
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
SemiQ
709
En stock
1 : $7.21000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
35 A (Tc)
20V
100mOhm a 20A, 20V
4V a 10mA
58 nC @ 20 V
+25V, -10V
1377 pF @ 1000 V
-
188W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
160
En stock
1 : $12.20000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
58 A (Tc)
18V
42mOhm a 29.5A, 18V
5.7V a 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V, -2V
1643 pF @ 400 V
-
197W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
241
En stock
1 : $32.73000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
61 A (Tc)
15V
58mOhm a 40A, 15V
2.7V a 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
MSC180SMA120B
MOSFET 1200V 25A TO-247
Microchip Technology
127
En stock
1 : $8.69000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
21 A (Tc)
5V, 20V
225mOhm a 8A, 20V
4.5V a 500µA
36 nC @ 20 V
+23V, -10V
530 pF @ 1000 V
-
147W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
LFUSCD20120B
LSIC1MO120E0160
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2,229
En stock
2,250
Fábrica
1 : $13.90000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22 A (Tc)
20V
200mOhm a 10A, 20V
4V a 5mA
57 nC @ 20 V
+22V, -6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD
TO-247-3
TO-247
IXTH2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO247
Littelfuse Inc.
10
En stock
1 : $22.99000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N, modo de implementación
MOSFET (óxido de metal)
1700 V
2 A (Tj)
0V
6.5Ohm a 1A, 0V
-
110 nC @ 5 V
±20V
3650 pF @ 10 V
-
568W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
C2D10120D
C3M0350120D
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $8.95000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
7.6 A (Tc)
15V
455mOhm a 3.6A, 15V
3.6V a 1mA
19 nC @ 15 V
+15V, -4V
345 pF @ 1000 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $15.18000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Granel
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
39A
18V
85mOhm a 20A, 18V
3.6V a 5mA
41 nC @ 18 V
+22V, -8V
890 pF @ 1000 V
-
223W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
C2D10120D
C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
0
En stock
Obsoleto
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Obsoleto
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1700 V
4.9 A (Tc)
20V
1.1Ohm a 2A, 20V
4V a 500µA
13 nC @ 20 V
+25V, -10V
191 pF @ 1000 V
-
69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 18

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.