FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRF100B201 MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Infineon Technologies	1,730 En stock	1 : $2.09000 Tubo	-	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	192 A (Tc)	10V	4.2mOhm a 115A, 10V	4V a 250µA	255 nC @ 10 V	±20V	9500 pF @ 50 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF530NSTRLPBF MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK Infineon Technologies	4,437 En stock	1 : $1.26000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.48654 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDP045N10A-F102 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 onsemi	790 En stock 207,200 Fábrica	1 : $4.77000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	120 A (Tc)	10V	4.5mOhm a 100A, 10V	4V a 250µA	74 nC @ 10 V	±20V	5270 pF @ 50 V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
FDP054N10 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 onsemi	676 En stock	1 : $5.16000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	120 A (Tc)	10V	5.5mOhm a 75A, 10V	4.5V a 250µA	203 nC @ 10 V	±20V	13280 pF @ 25 V	-	263W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.