FET simple, MOSFET

Resultados : 2
Fabricante
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
Serie
-TrenchFET® Gen IV
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
250mA (Ta)60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 10V7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.8mOhm a 15A, 10V2.4Ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.3V a 1mA3.6V a 250µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
15 pF @ 25 V3250 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)
200mW (Ta)69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8SST3
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK® SO-8TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
2Resultados
Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK SO-8
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
15,397
En stock
1 : $1.94000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.67000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
60 A (Tc)
7.5V, 10V
2.8mOhm a 15A, 10V
3.6V a 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 30 V
-
69.4W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
237,308
En stock
1 : $0.12000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03207
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
250mA (Ta)
2.5V, 10V
2.4Ohm a 250mA, 10V
2.3V a 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
150°C (TJ)
Montaje en superficie
SST3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.