FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	298,352 En stock	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02958 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ISZ0703NLSATMA1 MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON Infineon Technologies	16,478 En stock	1 : $1.54000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.39362 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	13 A (Ta), 56 A (Tc)	4.5V, 10V	7.3mOhm a 20A, 10V	2.3V a 15µA	23 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 30 V	-	2.5W (Ta), 44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8-25	8-PowerTDFN
IRFH9310TRPBF MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN Infineon Technologies	2,757 En stock	1 : $1.63000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.51771 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	21 A (Ta), 40 A (Tc)	4.5V, 10V	4.6mOhm a 21A, 10V	2.4V a 100µA	58 nC @ 4.5 V	±20V	5250 pF @ 15 V	-	3.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PQFN (5x6)	8-PowerVDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.