FET simple, MOSFET

Demostración

de 27

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
AIMBG120R040M1XTMA1 SIC_DISCRETE Infineon Technologies	1,916 En stock	1 : $18.47000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $10.20368 Cinta y rollo (TR)	CoolSiC™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	48A	-	-	-	-	-	-	-	-	-55°C ~ 175°C	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-7-12	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DRC15 750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	3,468 En stock	1 : $19.45000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	56 A (Tc)	18V	34mOhm a 29A, 18V	4.8V a 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V, -4V	2320 pF @ 500 V	-	176W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4036KRHRC15 1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	701 En stock	1 : $20.16000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	43 A (Tc)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	176W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
NTHL040N120SC1 SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3 onsemi	1,987 En stock	1 : $21.91000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	60 A (Tc)	20V	56mOhm a 35A, 20V	4.3V a 10mA	106 nC @ 20 V	+25V, -15V	1781 pF @ 800 V	-	348W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
SCT4013DRC15 750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	170 En stock	1 : $34.32000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	105 A (Tc)	18V	16.9mOhm a 58A, 18V	4.8V a 30.8mA	170 nC @ 18 V	+21V, -4V	4580 pF @ 500 V	-	312W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4018KRC15 1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,710 En stock	1 : $34.79000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	81 A (Tc)	18V	23.4mOhm a 42A, 18V	4.8V a 22.2mA	170 nC @ 18 V	+21V, -4V	4532 pF @ 800 V	-	312W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT3022KLGC11 SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Rohm Semiconductor	292 En stock	1 : $52.40000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	95 A (Tc)	18V	28.6mOhm a 36A, 18V	5.6V a 18.2mA	178 nC @ 10 V	+22V, -4V	2879 pF @ 800 V	-	427W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4018KEC11 1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	141 En stock	1 : $21.38000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	81A (Tj)	18V	23.4mOhm a 42A, 18V	4.8V a 22.2mA	170 nC @ 18 V	+21V, -4V	4532 pF @ 800 V	-	312W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4036KRC15 1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,756 En stock	1 : $23.46000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	43 A (Tc)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	176W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4013DW7TL 750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	238 En stock	1 : $35.46000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $23.29375 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	98A (Tj)	18V	16.9mOhm a 58A, 18V	4.8V a 30.8mA	170 nC @ 18 V	+21V, -4V	4580 pF @ 500 V	-	267W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4045DEHRC11 750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	301 En stock	1 : $8.45000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	34 A (Tc)	18V	59mOhm a 17A, 18V	4.8V a 8.89mA	63 nC @ 18 V	+21V, -4V	1460 pF @ 500 V	-	115W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4045DW7TL 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	424 En stock	1 : $13.71000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $6.94625 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	31A (Tj)	18V	59mOhm a 17A, 18V	4.8V a 8.89mA	63 nC @ 18 V	+21V, -4V	1460 pF @ 500 V	-	93W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4062KRHRC15 1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	401 En stock	1 : $13.87000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4062KEHRC11 1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	166 En stock	1 : $13.87000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4062KW7TL 1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	904 En stock	1 : $13.99000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $7.13375 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	24A (Tj)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	93W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4062KEC11 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,717 En stock	1 : $16.11000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4036KW7TL 1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	413 En stock	1 : $20.34000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $11.54125 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	40A (Tj)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	150W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4036KEC11 1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,683 En stock	1 : $23.46000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	43 A (Tc)	18V	47mOhm a 21A, 18V	4.8V a 11.1mA	91 nC @ 18 V	+21V, -4V	2335 pF @ 800 V	-	176W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3022KLHRC11 SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Rohm Semiconductor	1,127 En stock	1 : $106.67000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	95 A (Tc)	18V	28.6mOhm a 36A, 18V	5.6V a 18.2mA	178 nC @ 18 V	+22V, -4V	2879 pF @ 800 V	-	427W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4062KRC15 1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST Rohm Semiconductor	4,925 En stock	1 : $9.45000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	26 A (Tc)	18V	81mOhm a 12A, 18V	4.8V a 6.45mA	64 nC @ 18 V	+21V, -4V	1498 pF @ 800 V	-	115W	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4026DEHRC11 750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	320 En stock	1 : $12.54000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	56 A (Tc)	18V	34mOhm a 29A, 18V	4.8V a 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V, -4V	2320 pF @ 500 V	-	176W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT4045DW7HRTL 750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	989 En stock	1 : $13.59000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $6.86875 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	31 A (Tc)	18V	59mOhm a 17A, 18V	4.8V a 8.89mA	63 nC @ 18 V	+21V, -4V	1460 pF @ 500 V	-	93W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7HRTL 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	995 En stock	1 : $19.91000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $11.23125 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	51 A (Tc)	18V	34mOhm a 29A, 18V	4.8V a 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V, -4V	2320 pF @ 500 V	-	150W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DRHRC15 750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	460 En stock	1 : $19.91000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	56 A (Tc)	18V	34mOhm a 29A, 18V	4.8V a 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V, -4V	2320 pF @ 500 V	-	176W	175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SCT4026DW7TL 750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR Rohm Semiconductor	988 En stock	1 : $20.08000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $11.35875 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	750 V	51 A (Tj)	18V	34mOhm a 29A, 18V	4.8V a 15.4mA	94 nC @ 18 V	+21V, -4V	2320 pF @ 500 V	-	150W	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7L	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA

Demostración

de 27

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

FET simple, MOSFET

Información

AYUDA

CONTÁCTENOS

SÍGANOS