FET simple, MOSFET

Resultados : 22
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Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
22Resultados

Demostración
de 22
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO247-4-1
IMZ120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Infineon Technologies
322
En stock
1 : $10.30000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,076
En stock
1 : $10.77000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
41 A (Tc)
15V
90mOhm a 20A, 15V
2.69V a 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V, -10V
1560 pF @ 800 V
-
207W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,251
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
SCT4026DRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
151
En stock
1 : $34.62000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
105 A (Tc)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
292
En stock
1 : $41.46000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
95 A (Tc)
18V
28.6mOhm a 36A, 18V
5.6V a 18.2mA
178 nC @ 10 V
+22V, -4V
2879 pF @ 800 V
-
427W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
300
En stock
1 : $13.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
15V, 18V
54.4mOhm a 19.3A, 18V
5.2V a 8.3mA
51 nC @ 18 V
+20V, -5V
1620 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
SCT4026DW7TL
SCT4036KW7TL
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
360
En stock
1 : $16.57000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $11.54003
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
40A (Tj)
18V
47mOhm a 21A, 18V
4.8V a 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V, -4V
2335 pF @ 800 V
-
150W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4SC075006K4S
UF4SC120030K4S
1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
onsemi
1,180
En stock
1 : $22.76000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
39mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 800 V
±20V
1450 pF @ 15 V
-
341W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT4018KEC11
1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
131
En stock
1 : $23.12000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
81A (Tj)
18V
23.4mOhm a 42A, 18V
4.8V a 22.2mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4532 pF @ 800 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT4013DEC11
750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
359
En stock
1 : $35.46000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
105A (Tj)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7TL
SCT4018KW7TL
1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
750
En stock
1 : $35.95000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $23.69250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
75 A (Tj)
18V
23.4mOhm a 42A, 18V
4.8V a 22.2mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4532 pF @ 800 V
-
267W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DRC15
SCT4018KRC15
1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,692
En stock
1 : $36.93000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
81 A (Tc)
18V
23.4mOhm a 42A, 18V
4.8V a 22.2mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4532 pF @ 800 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
166
En stock
1 : $14.95000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
221
En stock
1 : $20.41000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1762 pF @ 800 V
-
319W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7TL
SCT4062KW7TL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
904
En stock
1 : $12.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.66001
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24A (Tj)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7TL
SCT4045DW7HRTL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
989
En stock
1 : $12.87000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.86875
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
31 A (Tc)
18V
59mOhm a 17A, 18V
4.8V a 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V, -4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT2450KEGC11
SCT4026DEHRC11
750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
320
En stock
1 : $19.05000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
56 A (Tc)
18V
34mOhm a 29A, 18V
4.8V a 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V, -4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7TL
SCT4026DW7HRTL
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
976
En stock
1 : $21.88000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $14.16997
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
51 A (Tc)
18V
34mOhm a 29A, 18V
4.8V a 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V, -4V
2320 pF @ 500 V
-
150W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7TL
SCT4026DW7TL
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
988
En stock
1 : $19.87000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $11.35000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
51 A (Tj)
18V
34mOhm a 29A, 18V
4.8V a 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V, -4V
2320 pF @ 500 V
-
150W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT2450KEGC11
SCT4036KEC11
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,677
En stock
1 : $21.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
43 A (Tc)
18V
47mOhm a 21A, 18V
4.8V a 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V, -4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRC15
SCT4026DRHRC15
750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
460
En stock
1 : $21.88000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
56 A (Tc)
18V
34mOhm a 29A, 18V
4.8V a 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V, -4V
2320 pF @ 500 V
-
176W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7TL
SCT4013DW7TL
750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
88
En stock
1 : $35.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $21.97007
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
98A (Tj)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
267W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
Demostración
de 22

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.