FET simple, MOSFET

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3Resultados

Demostración
de 3
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TDSON-8-7
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Infineon Technologies
27,095
En stock
1 : $1.13000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.24675
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
20 A (Ta), 78 A (Tc)
4.5V, 10V
3.7mOhm a 30A, 10V
2V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta), 37W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
10,669
En stock
1 : $1.62000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.41000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100 A (Tc)
4.5V, 10V
2mOhm a 50A, 10V
2.1V a 500µA
86 nC @ 10 V
±20V
6410 pF @ 15 V
-
830mW (Ta), 116W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMS86322
MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
onsemi
4,122
En stock
1 : $3.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.16620
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
13 A (Ta), 60 A (Tc)
6V, 10V
7.65mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PQFN (5x6)
8-PowerTDFN
Demostración
de 3

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.