FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IMW120R020M1HXKSA1 SIC DISCRETE Infineon Technologies	232 En stock	1 : $20.70000 Tubo	CoolSiC™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	98 A (Tc)	15V, 18V	26.9mOhm a 41A, 18V	5.2V a 17.6mA	109 nC @ 18 V	+20V, -5V	3460 pF @ 800 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3	TO-247-3
G3R30MT12K SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4 GeneSiC Semiconductor	1,251 En stock	1 : $22.53000 Tubo	G3R™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	90 A (Tc)	15V	36mOhm a 50A, 15V	2.69V a 12mA	155 nC @ 15 V	±15V	3901 pF @ 800 V	-	400W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4	TO-247-4
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	380 En stock	1 : $23.09000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	39 A (Tc)	20V	100mOhm a 20A, 20V	4V a 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W (Tc)	-55°C ~ 150°C	-	-	Orificio pasante	TO-247AD	TO-247-3
NVHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	932 En stock 900 Fábrica	1 : $34.73000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	103 A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	203 nC @ 20 V	+25V, -15V	2890 pF @ 800 V	-	535W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
NTHL020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 onsemi	229 En stock 5,850 Fábrica	1 : $36.12000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	103 A (Tc)	20V	28mOhm a 60A, 20V	4.3V a 20mA	203 nC @ 20 V	+25V, -15V	2890 pF @ 800 V	-	535W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
SCT3040KLGC11 SICFET N-CH 1200V 55A TO247N Rohm Semiconductor	338 En stock	1 : $37.08000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55 A (Tc)	18V	52mOhm a 20A, 18V	5.6V a 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
MSC025SMA120B SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3 Microchip Technology	111 En stock	1 : $40.13000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	103 A (Tc)	20V	31mOhm a 40A, 20V	2.8V a 1mA	232 nC @ 20 V	+25V, -10V	3020 pF @ 1000 V	-	500W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
C3M0021120D SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	446 En stock	1 : $41.54000 Tubo	C3M™	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	100 A (Tc)	15V	28.8mOhm a 50A, 15V	3.6V a 17.7mA	160 nC @ 15 V	+15V, -4V	4818 pF @ 1000 V	-	469W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
C2M0025120D SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3 Wolfspeed, Inc.	567 En stock	1 : $95.80000 Tubo	Z-FET™	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	90 A (Tc)	20V	34mOhm a 50A, 20V	2.4V a 10mA	161 nC @ 20 V	+25V, -10V	2788 pF @ 1000 V	-	463W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
APT24F50B MOSFET N-CH 500V 24A TO247 Microchip Technology	521 En stock	1 : $4.81000 Tubo	POWER MOS 8™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	24 A (Tc)	10V	240mOhm a 11A, 10V	5V a 1mA	90 nC @ 10 V	±30V	3630 pF @ 25 V	-	335W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247 [B]	TO-247-3
TW015N120C,S1F G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO Toshiba Semiconductor and Storage	30 En stock	1 : $64.59000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	100 A (Tc)	18V	20mOhm a 50A, 18V	5V a 11.7mA	158 nC @ 18 V	+25V, -10V	6000 pF @ 800 V	-	431W (Tc)	175°C	-	-	Orificio pasante	TO-247	TO-247-3
SIHG24N80AEF-GE3 EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Vishay Siliconix	372 En stock	1 : $5.71000 Tubo	EF	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	20 A (Tc)	10V	195mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	90 nC @ 10 V	±30V	1889 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
R6547ENZ4C13 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER Rohm Semiconductor	324 En stock	1 : $10.23000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	47 A (Tc)	10V	80mOhm a 25.8A, 10V	4V a 1.72mA	150 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 25 V	-	480W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247G	TO-247-3
IPW95R130PFD7XKSA1 HIGH POWER_NEW Infineon Technologies	299 En stock	1 : $6.57000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	950 V	36.5A	10V	-	-	141 nC @ 10 V	±20V	-	-	227W	-55°C ~ 150°C	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
IRFP351 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	314 Mercado	148 : $2.03000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	350 V	16 A (Tc)	10V	300mOhm a 8.9A, 10V	4V a 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	2000 pF @ 25 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247	TO-247-3
HUF75945G3 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,000 Mercado	120 : $2.51000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	38 A (Tc)	10V	71mOhm a 38A, 10V	4V a 250µA	280 nC @ 20 V	±20V	4023 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AD	TO-247-3
FQH90N10V2 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	370 Mercado	93 : $3.23000 Granel	QFET®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	105 A (Tc)	10V	10mOhm a 52.5A, 10V	4V a 250µA	191 nC @ 10 V	±30V	6150 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AD	TO-247-3
FCH76N60N POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Fairchild Semiconductor	170 Mercado	20 : $15.13000 Granel	SupreMOS™	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	76 A (Tc)	10V	36mOhm a 38A, 10V	4V a 250µA	285 nC @ 10 V	±30V	12385 pF @ 100 V	-	543W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247	TO-247-3
APT29F100B2 MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Microchip Technology	11 En stock	1 : $18.98000 Tubo	POWER MOS 8™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1000 V	30 A (Tc)	10V	440mOhm a 16A, 10V	5V a 2.5mA	260 nC @ 10 V	±30V	8500 pF @ 25 V	-	1040W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	T-MAX™ [B2]	TO-247-3 variante
AS2M040120P N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED	50 En stock	1 : $20.14000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	60 A (Tc)	20V	55mOhm a 40A, 20V	4V a 10mA	142 nC @ 20 V	+25V, -10V	2946 pF @ 1000 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IV1Q12050T3 SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247 Inventchip	0 En stock Consultar el plazo de entrega	Activo	-		Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	58 A (Tc)	20V	65mOhm a 20A, 20V	3.2V a 6mA	120 nC @ 20 V	+20V, -5V	2770 pF @ 800 V	-	327W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

FET simple, MOSFET

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