FET simple, MOSFET

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Demostración
de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TL431BFDT-QR
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
330,119
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02958
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMP2240UW-7
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323
Diodes Incorporated
31,833
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11970
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.5 A (Ta)
1.8V, 4.5V
150mOhm a 2A, 4.5V
1V a 250µA
-
±12V
320 pF @ 16 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SIR401DP-T1-GE3
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,219
En stock
1 : $2.08000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.93750
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
60 A (Tc)
4.5V, 10V
1.9mOhm a 25A, 10V
2.3V a 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
4,830
En stock
1 : $1.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.30267
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
400 V
1.8 A (Tc)
10V
7Ohm a 1.1A, 10V
4V a 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Demostración
de 4

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.