FET simple, MOSFET

Resultados : 16
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
16Resultados

Demostración
de 16
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
230
En stock
1 : $10.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.95269
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
1,716
En stock
1 : $14.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.44200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
48A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PG-TO263-7-12
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
617
En stock
1 : $14.82000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.25262
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
47 A (Tc)
-
63mOhm a 16A, 18V
5.7V a 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
799
En stock
1 : $17.42000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
71 A (Tc)
15V
48mOhm a 35A, 15V
2.69V a 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SCT4026DRC15
SCT4036KRHRC15
1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
701
En stock
1 : $19.79000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
43 A (Tc)
18V
47mOhm a 21A, 18V
4.8V a 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V, -4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DRC15
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
151
En stock
1 : $34.62000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
105 A (Tc)
18V
16.9mOhm a 58A, 18V
4.8V a 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V, -4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT4045DEHRC11
750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
283
En stock
1 : $8.07000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
34 A (Tc)
18V
59mOhm a 17A, 18V
4.8V a 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V, -4V
1460 pF @ 500 V
-
115W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
TO-247-3
NTHL060N065SC1
SIC MOS TO247-3L 650V
onsemi
358
En stock
4,050
Fábrica
1 : $8.10000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
47 A (Tc)
15V, 18V
70mOhm a 20A, 18V
4.3V a 6.5mA
74 nC @ 18 V
+22V, -8V
1473 pF @ 325 V
-
176W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
496
En stock
1 : $18.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
18V
52mOhm a 30A, 18V
5V a 1mA
94 nC @ 18 V
+22V, -10V
1969 pF @ 800 V
-
388W (Tc)
-55°C ~ 200°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
SCT2450KEGC11
SCT4036KEHRC11
1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
366
En stock
1 : $22.23000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
43 A (Tc)
18V
47mOhm a 21A, 18V
4.8V a 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V, -4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
166
En stock
1 : $14.95000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7TL
SCT4045DW7TL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
418
En stock
1 : $11.79000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.16002
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
750 V
31A (Tj)
18V
59mOhm a 17A, 18V
4.8V a 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V, -4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DW7TL
SCT4062KW7TL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
904
En stock
1 : $12.11000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $7.66001
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
24A (Tj)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7L
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SCT4026DRC15
SCT4062KRHRC15
1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
401
En stock
1 : $13.70000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
18V
81mOhm a 12A, 18V
4.8V a 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V, -4V
1498 pF @ 800 V
-
115W
175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL022N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
onsemi
187
En stock
4,950
Fábrica
1 : $19.08000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
68 A (Tc)
18V
30mOhm a 40A, 18V
4.4V a 20mA
139 nC @ 18 V
+22V, -10V
3130 pF @ 800 V
-
352W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
84
En stock
1 : $37.08000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm a 20A, 18V
5.6V a 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
Demostración
de 16

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.