FET simple, MOSFET

Resultados : 26
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Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
26Resultados
Demostración
de 26
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO263-7-12
IMBG120R140M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Infineon Technologies
751
En stock
1 : $7.37000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.07550
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
18 A (Tc)
-
189mOhm a 6A, 18V
5.7V a 2.5mA
13.4 nC @ 18 V
+18V, -15V
491 pF @ 800 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Infineon Technologies
673
En stock
1 : $10.03000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
15V, 18V
78mOhm a 13A, 18V
5.7V a 5.6mA
31 nC @ 18 V
+23V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
300
En stock
1 : $13.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
15V, 18V
54.4mOhm a 19.3A, 18V
5.2V a 8.3mA
51 nC @ 18 V
+20V, -5V
1620 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
PG-TO263-7-12
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Infineon Technologies
659
En stock
1 : $14.82000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.25262
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
47 A (Tc)
-
63mOhm a 16A, 18V
5.7V a 7.5mA
46 nC @ 18 V
+18V, -15V
1527 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
UJ4SC075006K4S
UF4SC120023K4S
1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Qorvo
1,444
En stock
1 : $20.01000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
1200 V
53 A (Tc)
12V
29mOhm a 40A, 12V
6V a 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1430 pF @ 800 V
-
385W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,251
En stock
1 : $22.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
90 A (Tc)
15V
36mOhm a 50A, 15V
2.69V a 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
170
En stock
1 : $27.85000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
127A (Tc)
15V, 18V
18.4mOhm a 54.3A, 18V
5.2V a 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V, -5V
4580 pF @ 25 V
-
455W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-8
TO-247-4
C2D10120D
C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
595
En stock
1 : $29.82000
Granel
Granel
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
36 A (Tc)
20V
98mOhm a 20A, 20V
4V a 5mA
62 nC @ 5 V
+25V, -10V
950 pF @ 1000 V
-
192W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
932
En stock
900
Fábrica
1 : $34.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
103 A (Tc)
20V
28mOhm a 60A, 20V
4.3V a 20mA
203 nC @ 20 V
+25V, -15V
2890 pF @ 800 V
-
535W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
338
En stock
1 : $37.08000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
55 A (Tc)
18V
52mOhm a 20A, 18V
5.6V a 10mA
107 nC @ 18 V
+22V, -4V
1337 pF @ 800 V
-
262W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
C2D10120D
C2M0040120D
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
567
En stock
1 : $53.09000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
52mOhm a 40A, 20V
2.8V a 10mA
115 nC @ 20 V
+25V, -10V
1893 pF @ 1000 V
-
330W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Infineon Technologies
961
En stock
1 : $5.35000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
13 A (Tc)
15V, 18V
286mOhm a 4A, 18V
5.7V a 1.6mA
8.5 nC @ 18 V
+23V, -7V
289 pF @ 800 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO263-7-12
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
637
En stock
1 : $8.38000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.64275
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
-
125mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V, -15V
763 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
C2D10120D
C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Wolfspeed, Inc.
13,858
En stock
1 : $9.42000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
10 A (Tc)
20V
370mOhm a 6A, 20V
2.8V a 1.25mA (típico)
20.4 nC @ 20 V
+25V, -10V
259 pF @ 1000 V
-
62.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
280
En stock
1 : $10.51000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
22 A (Tc)
15V
157mOhm a 6.76A, 15V
3.6V a 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
-
98W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Infineon Technologies
1,401
En stock
1 : $12.69000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
56 A (Tc)
15V, 18V
40mOhm a 25A, 18V
5.7V a 10mA
63 nC @ 18 V
+23V, -7V
2120 pF @ 800 V
-
227W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
120
En stock
1 : $13.73000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
47 A (Tc)
18V
34mOhm a 38.3A, 18V
5.7V a 11mA
62 nC @ 18 V
+23V, -5V
2131 pF @ 400 V
-
189W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Infineon Technologies
334
En stock
1 : $14.81000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
52 A (Tc)
15V
59mOhm a 20A, 15V
5.7V a 10mA
52 nC @ 15 V
+20V, -10V
1900 pF @ 800 V
Detección de corriente
228W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
208
En stock
1 : $16.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
70 A (Tc)
15V, 18V
40.9mOhm a 25.6A, 18V
5.2V a 11mA
68 nC @ 18 V
+20V, -7V
2160 pF @ 800 V
-
273W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U02
TO-247-4
TO-247-4
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
STMicroelectronics
526
En stock
1 : $18.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
18V
52mOhm a 30A, 18V
5V a 1mA
94 nC @ 18 V
+22V, -10V
1969 pF @ 800 V
-
388W (Tc)
-55°C ~ 200°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
NTHL025N065SC1
SIC MOS TO247-3L 650V
onsemi
117
En stock
1 : $18.17000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
99 A (Tc)
15V, 18V
28.5mOhm a 45A, 18V
4.3V a 15.5mA
164 nC @ 18 V
+22V, -8V
3480 pF @ 325 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
onsemi
649
En stock
1 : $18.35000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1781 pF @ 800 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
97
En stock
1 : $27.44000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
127A (Tc)
15V, 18V
18.4mOhm a 54.3A, 18V
5.2V a 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V, -5V
4580 pF @ 800 V
-
455W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
51
En stock
1 : $47.70000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
225 A (Tc)
15V, 18V
9.9mOhm a 108A, 18V
5.2V a 47mA
289 nC @ 18 V
+20V, -5V
9170 pF @ 800 V
-
750W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
MSC025SMA120B4
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Microchip Technology
30
En stock
1 : $41.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
103 A (Tc)
20V
31mOhm a 40A, 20V
2.8V a 3mA
232 nC @ 20 V
+23V, -10V
3020 pF @ 1000 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
Demostración
de 26

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.