FET simple, MOSFET

Resultados : 18
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PRODUCTO DEL MERCADO
18Resultados
Demostración
de 18
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
D2PAK-7
NVBG160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
onsemi
2,355
En stock
180,800
Fábrica
1 : $12.17000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.94825
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
19.5 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
33.8 nC @ 20 V
+25V, -15V
678 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-4
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
615
En stock
2,250
Fábrica
1 : $19.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
58 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1762 pF @ 800 V
-
319W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
onsemi
1,639
En stock
1 : $21.51000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1781 pF @ 800 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
922
En stock
1 : $34.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
103 A (Tc)
20V
28mOhm a 60A, 20V
4.3V a 20mA
203 nC @ 20 V
+25V, -15V
2890 pF @ 800 V
-
535W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
onsemi
342
En stock
51,300
Fábrica
1 : $11.49000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
29 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25V, -15V
1670 pF @ 800 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NVHL080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
onsemi
311
En stock
134,100
Fábrica
1 : $13.49000
Tubo
-
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
44 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25V, -15V
1670 pF @ 800 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IPW65R099CFD7AXKSA1
AIMW120R080M1XKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
567
En stock
1 : $15.53000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
33 A (Tc)
15V
104mOhm a 13A, 15V
5.7V a 5.6mA
28 nC @ 15 V
+20V, -7V
1060 pF @ 800 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
NVHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
onsemi
625
En stock
1 : $20.60000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1781 pF @ 800 V
-
348W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
260
En stock
11,250
Fábrica
1 : $29.84000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
102 A (Tc)
20V
28mOhm a 60A, 20V
4.3V a 20mA
220 nC @ 20 V
+25V, -15V
2943 pF @ 800 V
-
510W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
578
En stock
3,150
Fábrica
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17.3 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
111W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
onsemi
197
En stock
31,950
Fábrica
1 : $7.61000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
D2PAK-7
NTBG080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
onsemi
1,035
En stock
1 : $11.46000
Cinta cortada (CT)
800 : $6.64388
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25, -15V
1154 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
D2PAK-7
NVBG080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
onsemi
570
En stock
1 : $16.35000
Cinta cortada (CT)
800 : $8.72100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
30 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25V, -15V
1154 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
D2PAK-7
NVBG040N120SC1
TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
onsemi
3,473
En stock
1 : $26.45000
Cinta cortada (CT)
800 : $16.87481
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
60 A (Tc)
20V
56mOhm a 35A, 20V
4.3V a 10mA
106 nC @ 20 V
+25V, -15V
1789 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247-4
NTH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
onsemi
350
En stock
45,900
Fábrica
Activo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
29 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25V, -15V
1670 pF @ 800 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NVHL160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
onsemi
440
En stock
8,550
Fábrica
1 : $10.13000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
onsemi
1,253
En stock
450
Fábrica
1 : $10.53000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
17.3 A (Tc)
20V
224mOhm a 12A, 20V
4.3V a 2.5mA
34 nC @ 20 V
+25V, -15V
665 pF @ 800 V
-
111W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NTHL080N120SC1A
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
onsemi
892
En stock
52,650
Fábrica
1 : $10.90000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
31 A (Tc)
20V
110mOhm a 20A, 20V
4.3V a 5mA
56 nC @ 20 V
+25V, -15V
1670 pF @ 800 V
-
178W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 18

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.