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FET simple, MOSFET

Resultados : 2
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2Resultados

Demostración
de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT 23-3
NVR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
42,300
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10710
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1.7 A (Ta)
4.5V, 10V
155mOhm a 1A, 10V
2.5V a 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
G6N02L
G2003A
MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L
Goford Semiconductor
57,000
Mercado
3,000 : $0.07900
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
-
3 A (Tc)
4.5V, 10V
540mOhm a 2A, 10V
3V a 250µA
-
±20V
-
-
1.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.