FET simple, MOSFET

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13Resultados

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de 13
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DMTH41M8SPS-13
DMTH6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
12,913
En stock
1 : $2.41000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.71022
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
100 A (Tc)
6V, 10V
2mOhm a 50A, 10V
3V a 250µA
130.8 nC @ 10 V
±20V
6555 pF @ 30 V
-
167W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerDI5060-8 (típico K)
8-PowerTDFN
SIR401DP-T1-GE3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Vishay Siliconix
3,683
En stock
1 : $2.53000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.73392
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
45.6A (Ta), 186A (Tc)
4.5V, 10V
1.5mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-TDFN
NTMTS0D7N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
onsemi
2,734
En stock
1 : $4.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.73287
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
62.2A (Ta), 477A (Tc)
4.5V, 10V
0.68mOhm a 50A, 10V
2.5V a 250µA
225 nC @ 10 V
±20V
16200 pF @ 25 V
-
5W (Ta), 294.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
8-TDFNW
NTMTSC002N10MCTXG
MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW
onsemi
5,206
En stock
3,000
Fábrica
1 : $6.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.64800
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
45A (Ta), 236A (Tc)
-
2mOhm a 90A, 10V
4V a 520µA
89 nC @ 10 V
±20V
6305 pF @ 50 V
-
9W (Ta), 255W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie, lateral humedecible
8-TDFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
8-TDFN
NTMTS001N06CLTXG
MOSFET N-CH 60V 398.2A
onsemi
5,834
En stock
1 : $3.98000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.40013
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
398.2A (Tc)
4.5V, 10V
0.81mOhm a 50A, 10V
2.2V a 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
12300 pF @ 25 V
-
5W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
8-TDFN
NTMTS001N06CTXG
MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW
onsemi
5,690
En stock
9,000
Fábrica
1 : $3.98000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.40013
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
53.7A (Ta), 376A (Tc)
10V
0.91mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
8705 pF @ 30 V
-
5W (Ta), 244W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
8-TDFNW AS Top
NVMTSC4D3N15MC
PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
onsemi
1,609
En stock
1 : $6.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.80925
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
23A (Ta), 165A (Tc)
10V
4.45mOhm a 95A, 10V
4.5V a 521µA
79 nC @ 10 V
±20V
6514 pF @ 75 V
-
5W (Ta), 292W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
8-TDFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
PG-TSON-8-3
ISC010N06NM5ATMA1
OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Infineon Technologies
3,389
En stock
1 : $4.80000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.80462
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
39A (Ta), 330A (Tc)
6V, 10V
1.05mOhm a 50A, 10V
3.3V a 147µA
143 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
3W (Ta), 214W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
DMTH41M8SPS-13
DMTH8003SPS-13
MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
11,943
En stock
1 : $2.56000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.76675
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
100 A (Tc)
6V, 10V
3.9mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
124.3 nC @ 10 V
±20V
8952 pF @ 40 V
-
2.9W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerDI5060-8 (típico K)
8-PowerTDFN
8-TDFNW AS Top
NTMTSC4D2N10GTXG
100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
onsemi
2,645
En stock
1 : $6.94000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.95500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
21A (Ta), 178A (Tc)
10V
4.2mOhm a 88A, 10V
4V a 450µA
159 nC @ 10 V
±20V
10450 pF @ 50 V
-
3.9W (Ta), 267W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie, lateral humedecible
8-TDFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
8-TDFN
NVMTS0D7N06CTXG
MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
onsemi
2,635
En stock
9,000
Fábrica
1 : $10.89000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $5.35600
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
60.5A (Ta), 464A (Tc)
10V
0.72mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
11535 pF @ 30 V
-
5W (Ta), 294.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
FDBL9401-F085T6AW
NTBLS0D7N06C
MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
onsemi
848
En stock
1 : $9.52000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $4.59073
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
54A (Ta), 470A (Tc)
6V, 10V
0.75mOhm a 80A, 10V
4V a 661µA
170 nC @ 10 V
±20V
13730 pF @ 30 V
-
4.2W (Ta), 314W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HPSOF
8-PowerSFN
8-TDFN
NTMTS1D2N08H
T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
onsemi
8
En stock
1 : $6.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $2.76300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
41A (Ta), 335A (Tc)
6V, 10V
1.1mOhm a 90A, 10V
4V a 590µA
147 nC @ 10 V
±20V
10100 pF @ 40 V
-
5W (Ta), 300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFNW (8.3x8.4)
8-PowerTDFN
Demostración
de 13

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.