270mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 34

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTS4001NT1G MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 onsemi	97,132 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08401 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	33 pF @ 5 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
DMP10H4D2S-7 MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Diodes Incorporated	12,683 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08748 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	270mA (Ta)	4V, 10V	4.2Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	87 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002BKSX MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP Nexperia USA Inc.	1,879 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04959 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	5V, 10V	2.8Ohm a 200mA, 10V	2.1V a 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	23.6 pF @ 10 V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSSOP	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DMN313DLT-7 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 Diodes Incorporated	29,774 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04979 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4.5V	2Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	36.3 pF @ 5 V	-	280mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
DMP10H4D2S-13 MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3 Diodes Incorporated	5,506 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06213 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	270mA (Ta)	4V, 10V	4.2Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	87 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NVS4001NT1G MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 onsemi	94,410 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08942 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	33 pF @ 5 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
DMN24H11DS-7 MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Diodes Incorporated	1,675 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15931 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	270mA (Ta)	4.5V, 10V	11Ohm a 300mA, 10V	3V a 250µA	3.7 nC @ 10 V	±20V	76.8 pF @ 25 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN24H11DSQ-7 MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Diodes Incorporated	2,687 En stock	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17455 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	270mA (Ta)	4.5V, 10V	11Ohm a 300mA, 10V	3V a 250µA	3.7 nC @ 10 V	±20V	76.8 pF @ 25 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVN3306A MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Diodes Incorporated	1,931 En stock 28,000 Fábrica	1 : $1.16000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	35 pF @ 18 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
BS170P MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Diodes Incorporated	3,755 En stock 28,000 Fábrica	1 : $1.18000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	10V	5Ohm a 200mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 10 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VN10LP MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Diodes Incorporated	4,120 En stock 8,000 Fábrica	1 : $1.22000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
NTS4001NT3G MOSFET N-CH 30V 270MA SC70 onsemi	10,039 En stock 10,000 Fábrica	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04810 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	33 pF @ 5 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
DMN24H11DSQ-13 MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R Diodes Incorporated	9,008 En stock 90,000 Fábrica	1 : $0.76000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.15076 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	270mA (Ta)	4.5V, 10V	11Ohm a 300mA, 10V	3V a 250µA	3.7 nC @ 10 V	±20V	76.8 pF @ 25 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP10H4D2SQ-7 MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R Diodes Incorporated	2,755 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06481 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	270mA (Ta)	4V, 10V	4.2Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	87 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002BKVL MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock 126,150 Mercado Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.02280 Cinta y rollo (TR) 6,897 : $0.04000 Granel	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	5V, 10V	2.8Ohm a 200mA, 10V	2.1V a 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	23.6 pF @ 10 V	-	310mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002BKR MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02792 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	5V, 10V	2.8Ohm a 200mA, 10V	2.1V a 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	23.6 pF @ 10 V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002BKWX MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323 Nexperia USA Inc.	43 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03327 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	5V, 10V	2.8Ohm a 200mA, 10V	2.1V a 250µA	1 nC @ 10 V	±20V	23.6 pF @ 10 V	-	310mW (Ta), 1.67W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
NX6008NBKR NX6008NBK/SOT23/TO-236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	1.5V, 4.5V	2.8Ohm a 300mA, 4.5V	900mV a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	27 pF @ 30 V	-	270mW (Ta), 1.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX138AKMYL NX138AKM/SOT883/XQFN3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03663 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	2.5V, 10V	4.2Ohm a 190mA, 10V	1.5V a 250µA	0.6 nC @ 10 V	±20V	15 pF @ 30 V	-	340mW (Ta), 2.3W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
BSS84AKQBZ BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Nexperia USA Inc.	89 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.07058 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	270mA (Ta)	4.5V, 10V	7.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.6 nC @ 10 V	+12V, -20V	23.2 pF @ 25 V	-	420mW (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN1110D-3	Placa descubierta 3-XDFN
DMP10H4D2SQ-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R Diodes Incorporated	0 En stock 80,000 Fábrica Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.05429 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	270mA (Ta)	4V, 10V	4.2Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	87 pF @ 25 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4001NT1 MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 onsemi	0 En stock	9,000 : $0.06484 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	270mA (Ta)	2.5V, 4V	1.5Ohm a 10mA, 4V	1.5V a 100µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	33 pF @ 5 V	-	330mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
ZVN3306ASTOA MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.21000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	35 pF @ 18 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
ZVN3306ASTOB MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE Diodes Incorporated	0 En stock	16,000 : $0.21000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	10V	5Ohm a 500mA, 10V	2.4V a 1mA	-	±20V	35 pF @ 18 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	E-Line (compatible con TO-92)	E-Line-3
TP0610KL-TR1-E3 MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA Vishay Siliconix	0 En stock	2,000 : $0.21183 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	270mA (Ta)	4.5V, 10V	6Ohm a 500mA, 10V	3V a 250µA	3 nC @ 15 V	±20V	-	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-226AA (TO-92)	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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