27 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 111
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesDiodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip Technology
Serie
-aMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassICeGaN™MDmesh™ IIMDmesh™ VOptiMOS™
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Tecnología
GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V650 V800 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V5V, 10V6V, 10V10V10V, 12V10V, 15V11V12V20V-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6mOhm a 13.5A, 10V6.2mOhm a 27A, 10V13mOhm a 6.5A, 10V19mOhm a 13.5A, 10V20mOhm a 13.5A, 10V22mOhm a 27A, 10V25mOhm a 5A, 10V25mOhm a 7A, 10V25.7mOhm a 27A, 10V26mOhm a 27A, 10V27mOhm a 27A, 10V29mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA2V a 31µA2.3V a 200µA2.4V a 250µA2.5V a 1.6mA2.5V a 250µA2.5V a 485µA2.6V a 400uA3V a 250µA3.5V a 250µA4V a 11µA4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
4.6 nC @ 5 V6 nC @ 12 V10.4 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V12.7 nC @ 10 V13.6 nC @ 10 V14 nC @ 8 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V18.6 nC @ 10 V19 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -20V±16V±18V+20V, -1V±20V+22V, -6V±22V±25V±30V-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
475 pF @ 25 V537 pF @ 25 V630 pF @ 25 V631 pF @ 40 V650 pF @ 30 V670 pF @ 50 V700 pF @ 25 V760 pF @ 100 V800 pF @ 25 V810 pF @ 25 V965 pF @ 25 V989 pF @ 75 V
Característica de FET
-Detección de corriente
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta), 32W (Tc)1.5W (Ta)1.5W (Ta), 52W (Tc)1.6W (Ta)2.8W (Ta)3.75W (Ta), 120W (Tc)3.75W (Ta), 150W (Tc)30W (Tc)36W (Tc)40W (Tc)45W (Tc)50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-PQFN (8x8)8-DFN3333 (3.3x3.3)8-HPSOF8-HSMT (3.2x3)8-HVSON (3.3x3.3)8-HWSON (3.3x3.3)8-TSON avanzado (3.1x3.1)16-DFN (8x8)D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAK
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNPlaca descubierta 8-VDFNMódulo 10-PowerSOP16-PowerVDFNConductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAPowerPAK® SO-8SOT-227-4, miniBLOCTO-220-3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
111Resultados
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Demostración
de 111
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
3,621
En stock
4,000
Fábrica
1 : $2.78000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.94275
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
27 A (Tc)
10V
70mOhm a 13.5A, 10V
4V a 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
3.75W (Ta), 120W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
FQP27P06
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
onsemi
27,492
En stock
1 : $2.92000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
27 A (Tc)
10V
70mOhm a 13.5A, 10V
4V a 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
120W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,944
En stock
1 : $7.27000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.87500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
650 V
27 A (Tc)
-
105mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN32N100P
MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B
Littelfuse Inc.
627
En stock
1 : $37.75000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
27 A (Tc)
10V
320mOhm a 16A, 10V
6.5V a 1mA
225 nC @ 10 V
±30V
14200 pF @ 25 V
-
690W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
2DB1184Q-13
DMP3028LK3-13
MOSFET P-CH 30V 27A TO252
Diodes Incorporated
7,577
En stock
160,000
Fábrica
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.21935
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 7A, 10V
2.4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMTH8028LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Diodes Incorporated
4,265
En stock
1 : $1.07000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24616
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
631 pF @ 40 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
8-PowerVDFN
PG-TO252-3
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Infineon Technologies
28,548
En stock
1 : $1.51000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.37175
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
27 A (Tc)
10V
33mOhm a 27A, 10V
4V a 29µA
24 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 50 V
-
58W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263
FDB390N15A
MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
onsemi
1,498
En stock
4,000
Fábrica
1 : $2.80000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.95608
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
27 A (Tc)
10V
39mOhm a 27A, 10V
4V a 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1285 pF @ 75 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
AOTF27S60L
MOSFET N-CH 600V 27A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
3,761
En stock
1 : $4.16000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V
160mOhm a 13.5A, 10V
4V a 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3 paquete completo
13,171
En stock
1 : $4.94000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.80000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V
160mOhm a 13.5A, 10V
4V a 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-252 D-Pak Top
DMP3028LK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252
Diodes Incorporated
2,388
En stock
207,500
Fábrica
1 : $0.99000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.22723
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 7A, 10V
2.4V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1241 pF @ 15 V
-
2.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PowerPak SO-8L
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,685
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39603
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
27 A (Tc)
10V
30mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ416EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
12,000
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35387
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
27 A (Tc)
10V
30mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TO252-3-11
IPD22N08S2L50ATMA1
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Infineon Technologies
9,994
En stock
1 : $2.03000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.57944
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
27 A (Tc)
5V, 10V
50mOhm a 50A, 10V
2V a 31µA
33 nC @ 10 V
±20V
630 pF @ 25 V
-
75W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-VSON-4
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Infineon Technologies
5,408
En stock
1 : $3.92000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.37287
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V
125mOhm a 8.2A, 10V
4V a 410µA
36 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 400 V
-
111W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
3,525
En stock
1 : $4.16000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V
160mOhm a 13.5A, 10V
4V a 250µA
26 nC @ 10 V
±30V
1294 pF @ 100 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
10-PowerSOP Module
IPDD60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,688
En stock
1 : $4.45000
Cinta cortada (CT)
1,700 : $1.63262
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
-
125mOhm a 6.8A, 10V
4.5V a 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1329 pF @ 400 V
-
176W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HDSOP-10-1
Módulo 10-PowerSOP
DMTH43M8LFVW-7
DMTH8028LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Diodes Incorporated
2,500
En stock
1 : $1.07000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.25750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
25mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
631 pF @ 40 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie, lateral humedecible
PowerDI3333-8 (SWP) típico UX
8-PowerVDFN
2,745
En stock
1 : $1.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.35621
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
6mOhm a 13.5A, 10V
2.3V a 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 15 V
-
700mW (Ta), 32W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
4,837
En stock
1 : $1.58000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.39871
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
537 pF @ 25 V
-
53W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BUK7626-100B,118
PHB29N08T,118
MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,734
En stock
1 : $1.80000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.56981
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
27 A (Tc)
11V
50mOhm a 14A, 11V
5V a 2mA
19 nC @ 10 V
±30V
810 pF @ 25 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
RQ3E120ATTB
RQ3G270BJFRATCB
PCH -40V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Rohm Semiconductor
2,390
En stock
1 : $2.05000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.53397
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
22mOhm a 27A, 10V
2.5V a 485µA
32 nC @ 10 V
+5V, -20V
1810 pF @ 20 V
-
69W (Tc)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-HSMT (3.2x3)
8-PowerVDFN
RQ3E120ATTB
RQ3P270BKFRATCB
NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Rohm Semiconductor
3,475
En stock
1 : $2.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.55849
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
27 A (Tc)
4.5V, 10V
27mOhm a 27A, 10V
2.5V a 1.6mA
13.6 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 50 V
-
69W (Tc)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-HSMT (3.2x3)
8-PowerVDFN
R6014YNX3C16
R6027YNX3C16
NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
Rohm Semiconductor
990
En stock
1 : $3.03000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V, 12V
135mOhm a 7A, 12V
6V a 2mA
40 nC @ 10 V
±30V
1670 pF @ 100 V
-
245W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263 (D2PAK)
STH60N099DM9-2AG
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STMicroelectronics
248
En stock
1 : $6.07000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.37500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
27 A (Tc)
10V
99mOhm a 13.5A, 10V
4.5V a 250µA
44 nC @ 10 V
±30V
2140 pF @ 400 V
-
179W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Demostración
de 111

27 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.