26 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
U-DFN2020-6
DMP1005UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
32,976
En stock
621,000
Fábrica
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17415
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
26 A (Tc)
1.8V, 4.5V
8.5mOhm a 5A, 4.5V
1V a 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico F)
Placa descubierta 6-UDFN
18,744
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24005
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
11.4mOhm a 13A, 10V
2.5V a 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW (Ta), 61W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
32,920
En stock
1 : $1.43000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.38230
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
40mOhm a 20A, 10V
2.4V a 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 30 V
-
2.5W (Ta), 60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FDD390N15A
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
14,115
En stock
1 : $1.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51297
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
26 A (Tc)
10V
40mOhm a 26A, 10V
4V a 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
1285 pF @ 75 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
17,167
En stock
1 : $3.50000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.18000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
26 A (Tc)
10V
52mOhm a 13A, 10V
4V a 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
SIR401DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,960
En stock
1 : $3.91000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.31250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
26 A (Tc)
8V, 10V
45mOhm a 5A, 10V
4.5V a 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
5.2W (Ta), 64W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB Full Pack
IRFI4227PBF
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Infineon Technologies
4,134
En stock
1 : $4.13000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
26 A (Tc)
10V
25mOhm a 17A, 10V
5V a 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
46W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB, paquete completo
TO-220-3 paquete completo
TO-263-D2PAK
IXTA26P20P-TRL
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Littelfuse Inc.
2,842
En stock
1 : $8.03000
Cinta cortada (CT)
800 : $3.44313
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
26 A (Tc)
10V
170mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Littelfuse Inc.
2,160
En stock
1 : $10.15000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
26 A (Tc)
10V
270mOhm a 500mA, 10V
5V a 4mA
72 nC @ 10 V
±30V
4150 pF @ 25 V
-
460W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
173
En stock
1 : $17.16000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
2000 V
26 A (Tc)
15V, 18V
131mOhm a 10A, 18V
5.5V a 6mA
55 nC @ 18 V
+20V, -7V
-
-
217W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
PowerPak SO-8L
SQJ474EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,883
En stock
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.39603
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
30mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-WDFN
NVTFS5C478NLTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
onsemi
1,937
En stock
1 : $1.52000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.43576
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
14mOhm a 5A, 10V
2.2V a 20µA
8 nC @ 10 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8-WDFN
NVTFS5C478NLWFTAG
MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
onsemi
400
En stock
1 : $1.77000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.52100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
14mOhm a 5A, 10V
2.2V a 20µA
3.8 nC @ 4.5 V
±20V
400 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-252AA
FDD390N15ALZ
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
onsemi
3,211
En stock
1 : $2.00000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.57009
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
42mOhm a 26A, 10V
2.8V a 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1760 pF @ 75 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
STP24NF10
MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
STMicroelectronics
589
En stock
1 : $2.20000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
26 A (Tc)
10V
60mOhm a 12A, 10V
4V a 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 25 V
-
85W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-263
NDB5060L
MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
onsemi
1,252
En stock
1 : $3.43000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.20891
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
26 A (Tc)
5V, 10V
35mOhm a 13A, 10V
2V a 250µA
24 nC @ 5 V
±16V
840 pF @ 30 V
-
68W (Tc)
-65°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO220 Full Pack
IPA60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Infineon Technologies
235
En stock
1 : $3.82000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
26 A (Tc)
10V
120mOhm a 8.2A, 10V
4V a 410µA
36 nC @ 10 V
±20V
1544 pF @ 400 V
-
28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220 paquete completo
TO-220-3 paquete completo
SIR401DP-T1-GE3
SI7430DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,014
En stock
1 : $4.94000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.80000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
26 A (Tc)
8V, 10V
45mOhm a 5A, 10V
4.5V a 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
5.2W (Ta), 64W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247
IXTH26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO247
IXYS
227
En stock
1 : $6.63000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
26 A (Tc)
10V
170mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-220-3
IXTP26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Littelfuse Inc.
1,265
En stock
1 : $7.04000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
26 A (Tc)
10V
170mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-247_IXFH
IXFH26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Littelfuse Inc.
941
En stock
1 : $7.86000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
26 A (Tc)
10V
230mOhm a 13A, 10V
5.5V a 4mA
60 nC @ 10 V
±30V
3600 pF @ 25 V
-
400W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
PG-TO263-7-12
IMBG120R090M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Infineon Technologies
637
En stock
1 : $8.38000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.64275
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
-
125mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
23 nC @ 18 V
+18V, -15V
763 pF @ 800 V
-
136W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7-12
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
IPW65R099CFD7AXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
579
En stock
1 : $8.57000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
15V, 18V
117mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V, -7V
707 pF @ 800 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
PG-TO247-4-1
IMZ120R090M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Infineon Technologies
278
En stock
1 : $9.06000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
26 A (Tc)
15V, 18V
117mOhm a 8.5A, 18V
5.7V a 3.7mA
21 nC @ 18 V
+23V, -7V
707 pF @ 800 V
-
115W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-4-1
TO-247-4
TO-247-3-PKG-Series
APT5020BVFRG
MOSFET N-CH 500V 26A TO247
Microchip Technology
695
En stock
1 : $10.61000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
26 A (Tc)
-
200mOhm a 500mA, 10V
4V a 1mA
225 nC @ 10 V
-
4440 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
Orificio pasante
TO-247 [B]
TO-247-3
Demostración
de 149

26 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.