250mA (Tj) Transistores - FET, MOSFET - Individual

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

VP2106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Microchip Technology	1,786 En stock	1 : $0.64000 Bolsa	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	250mA (Tj)	5V, 10V	12Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP0104N3-G MOSFET P-CH 40V 250MA TO92-3 Microchip Technology	2,000 En stock	1 : $1.02000 Bolsa	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	250mA (Tj)	5V, 10V	8Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP0106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 Microchip Technology	1,000 En stock	1 : $1.06000 Bolsa	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	250mA (Tj)	5V, 10V	8Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VP0109N3-G MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3 Microchip Technology	339 En stock	1 : $1.16000 Bolsa	-	Bolsa	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	90 V	250mA (Tj)	5V, 10V	8Ohm a 500mA, 10V	3.5V a 1mA	±20V	60 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
VN2450N8-G MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA Microchip Technology	5,296 En stock	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.13000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	250mA (Tj)	4.5V, 10V	13Ohm a 400mA, 10V	4V a 1mA	±20V	150 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-243AA (SOT-89)	TO-243AA
TN0620N3-G MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Microchip Technology	417 En stock	1 : $1.63000 Bolsa	-	Bolsa	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	250mA (Tj)	5V, 10V	6Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 1mA	±20V	150 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TN0620N3-G-P002 MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Microchip Technology	6,324 En stock	1 : $1.73000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.32000 Cinta y caja	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	250mA (Tj)	5V, 10V	6Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 1mA	±20V	150 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
IXTY02N50D-TRL MOSFET N-CH Littelfuse Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,500 : $1.29602 Cinta y rollo (TR)	Depletion	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	-	-	250mA (Tj)	-	-	-	±20V	-	Modo de exclusión	-	-	-	-	-	-	-
TN0620N3-G-P014 MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Microchip Technology	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,000 : $1.32000 Cinta y caja	-	Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	250mA (Tj)	5V, 10V	6Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 1mA	±20V	150 pF @ 25 V	-	1W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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250mA (Tj) Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.