230mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	206,027 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05430 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 26µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS159NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	18,306 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11939 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	0V, 10V	3.5Ohm a 160mA, 10V	2.4V a 26µA	1.4 nC @ 5 V	±20V	39 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BS250P MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE Diodes Incorporated	11,537 En stock 8,000 Fábrica	1 : $1.38000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	45 V	230mA (Ta)	10V	14Ohm a 200mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 10 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4525E6TA MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Diodes Incorporated	2,849 En stock	1 : $1.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.34593 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	230mA (Ta)	2.4V, 10V	8.5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 1mA	3.65 nC @ 10 V	±40V	72 pF @ 25 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-6	SOT-23-6
BSS138IXTSA1 SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Infineon Technologies	17,914 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05181 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 26µA	1 nC @ 10 V	±20V	32 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002WH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Infineon Technologies	68,820 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05413 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 230mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
DMN26D0UT-7 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Diodes Incorporated	14,115 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05330 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	230mA (Ta)	1.2V, 4.5V	3Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 250µA	-	±10V	14.1 pF @ 15 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
BSS138NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	20,009 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04708 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 26µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84T116 MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Rohm Semiconductor	1,782 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07599 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5.3Ohm a 230mA, 10V	2.5V a 100µA	-	±20V	34 pF @ 30 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZVP2110A MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 Diodes Incorporated	3,109 En stock 64,000 Fábrica	1 : $1.38000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	230mA (Ta)	10V	8Ohm a 375mA, 10V	3.5V a 1mA	-	±20V	100 pF @ 25 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7002KWS-TP N-CHANNEL MOSFET,SOT-323S MCC (Micro Commercial Components)	3,000 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04765 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	2.5Ohm a 500mA, 10V	2V a 1mA	0.9 nC @ 10 V	±20V	15 pF @ 25 V	-	290mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323S	SC-70, SOT-323
BSS159NH6906XTSA1 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	36,994 En stock	Obsoleto	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	0V, 10V	3.5Ohm a 160mA, 10V	2.4V a 26µA	2.9 nC @ 5 V	±20V	44 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX3008PBK,215 MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03952 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	230mA (Ta)	2.5V, 4.5V	4.1Ohm a 200mA, 4.5V	1.1V a 250µA	0.72 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 15 V	-	350mW (Ta), 1.14W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84XHZGG2CR MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W Rohm Semiconductor	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.85000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.17962 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	-	5.3Ohm a 230mA, 10V	2.5V a 100µA	-	±20V	34 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	DFN1010-3W	3-XFDFN
NX3008PBKVL MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03259 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	230mA (Ta)	2.5V, 4.5V	4.1Ohm a 200mA, 4.5V	1.1V a 250µA	0.72 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 15 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84AKM,315 MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05042 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	230mA (Ta)	10V	7.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	340mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
BSS84AKMB,315 MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.06018 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	230mA (Ta)	10V	7.5Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	360mW (Ta), 2.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1006B-3	3-XFDFN
BSS84AHZGT116 PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S Rohm Semiconductor	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10362 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5.3Ohm a 230mA, 10V	2.5V a 100µA	-	±20V	34 pF @ 30 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMFTP3008AK MOSFET P-CH 30V 230MA TO-236-3 Diotec Semiconductor	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.02184 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	230mA (Ta)	2.5V, 4.5V	4.1Ohm a 200mA, 4.5V	1.6V a 250µA	0.55 nC @ 4.5 V	±8V	31 pF @ 15 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NL6433HTMA1 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	0 En stock	10,000 : $0.04162 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002W E6433 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Infineon Technologies	0 En stock	10,000 : $0.04723 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 230mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
BSS138N E8004 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	0 En stock	10,000 : $0.05214 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Discontinuo en DigiKey	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN26D0UFB4-7 MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock	3,000 : $0.05352 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	230mA (Ta)	1.5V, 4.5V	3Ohm a 100mA, 4.5V	1.1V a 250µA	-	±10V	14.1 pF @ 15 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN
SN7002W E6327 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3 Infineon Technologies	0 En stock	3,000 : $0.05632 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 230mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT323	SC-70, SOT-323
BSS138N-E6327 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	0 En stock	3,000 : $0.06070 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	230mA (Ta)	4.5V, 10V	3.5Ohm a 230mA, 10V	1.4V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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