22 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
onsemi
4,054
En stock
1 : $2.74000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.92556
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
22 A (Tc)
10V
125mOhm a 11A, 10V
4V a 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
3.75W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,930
En stock
1 : $6.52000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22 A (Tc)
15V
192mOhm a 10A, 15V
2.69V a 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
C3M0280090J-TR
C3M0120090J
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
5,828
En stock
1 : $11.56000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
22 A (Tc)
15V
155mOhm a 15A, 15V
3.5V a 3mA
17.3 nC @ 15 V
+18V, -8V
350 pF @ 600 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
PSMNR82-30YLEX
BUK9Y43-60E,115
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
22,703
En stock
1 : $1.12000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.30543
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
22 A (Tc)
5V
41mOhm a 5A, 10V
2.1V a 1mA
8.2 nC @ 5 V
±10V
880 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
TO-220-3
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
19,134
En stock
1 : $1.15000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
22 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 20A, 10V
2.7V a 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
2.1W (Ta), 27W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3 paquete completo
10,717
En stock
1 : $1.31000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.31594
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
22 A (Tc)
4.5V, 10V
15mOhm a 9A, 10V
2.5V a 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2783 pF @ 20 V
-
12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
PG-TO252-3-313
IPD650P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Infineon Technologies
9,884
En stock
1 : $2.08000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.59208
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
22 A (Tc)
10V
65mOhm a 22A, 10V
4V a 1.04mA
39 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 30 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3-313
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8-SOIC
SQ4483BEEY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Vishay Siliconix
19,612
En stock
1 : $2.48000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.70538
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
22 A (Tc)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
-
-
7W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TO-252AA
FDD3690
MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
onsemi
3,687
En stock
12,500
Fábrica
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.81512
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
22 A (Tc)
6V, 10V
64mOhm a 5.4A, 10V
4V a 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
1514 pF @ 50 V
-
3.8W (Ta), 60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
FDP22N50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
onsemi
1,808
En stock
1 : $4.63000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
22 A (Tc)
10V
220mOhm a 11A, 10V
5V a 250µA
65 nC @ 10 V
±30V
3200 pF @ 25 V
-
312.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
1,333
En stock
1 : $4.79000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.79788
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
22 A (Tc)
10V
110mOhm a 9.7A, 10V
4.5V a 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-3P
IXTQ22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Littelfuse Inc.
125
En stock
1 : $5.91000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
22 A (Tc)
10V
270mOhm a 11A, 10V
5.5V a 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2630 pF @ 25 V
-
350W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-247-3
STW32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
STMicroelectronics
600
En stock
1 : $7.69000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
22 A (Tc)
10V
130mOhm a 11A, 10V
4V a 250µA
62.5 nC @ 10 V
±25V
1973 pF @ 50 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP22N50APBF
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Vishay Siliconix
1,413
En stock
1 : $8.34000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
22 A (Tc)
10V
230mOhm a 13A, 10V
4V a 250µA
120 nC @ 10 V
±30V
3450 pF @ 25 V
-
277W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
280
En stock
1 : $10.51000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
22 A (Tc)
15V
157mOhm a 6.76A, 15V
3.6V a 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
-
98W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4L
TO-247-4
C2D10120D
C3M0120065D
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
183
En stock
1 : $10.51000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
650 V
22 A (Tc)
15V
157mOhm a 6.76A, 15V
3.6V a 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V, -8V
640 pF @ 400 V
-
98W (Tc)
-40°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
SCT2450KEGC11
SCT2160KEGC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
302
En stock
1 : $14.33000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1200 V
22 A (Tc)
18V
208mOhm a 7A, 18V
4V a 2.5mA
62 nC @ 18 V
+22V, -6V
1200 pF @ 800 V
-
165W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247N
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0120100J
SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
1,015
En stock
1 : $17.95000
Tubo
Tubo
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
1000 V
22 A (Tc)
15V
155mOhm a 15A, 15V
3.5V a 3mA
21.5 nC @ 15 V
+15V, -4V
350 pF @ 600 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
BUK7M6R7-40HX
BUK9M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,499
En stock
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.27099
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
22 A (Tc)
5V
37mOhm a 5A, 10V
2.1V a 1mA
8.3 nC @ 5 V
±10V
867 pF @ 25 V
-
44W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
TO-252-3
SVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
onsemi
4,220
En stock
1 : $1.19000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
22 A (Tc)
4.5V, 10V
39mOhm a 11A, 10V
2.5V a 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 25 V
-
3.3W (Ta), 43W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DPAK-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263 (D2PAK)
STB28N60M2
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
STMicroelectronics
413
En stock
1 : $2.72000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.89540
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
22 A (Tc)
10V
150mOhm a 11A, 10V
4V a 250µA
36 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
RCX220N25
MOSFET N-CH 250V 22A TO220FM
Rohm Semiconductor
500
En stock
1 : $2.98000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
22 A (Tc)
10V
140mOhm a 11A, 10V
5V a 1mA
60 nC @ 10 V
±30V
3200 pF @ 25 V
-
2.23W (Ta), 40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FM
TO-220-3 paquete completo
TO-220FP
STF31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
STMicroelectronics
1,109
En stock
1 : $4.19000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
22 A (Tc)
10V
148mOhm a 11A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3
STP31N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
STMicroelectronics
801
En stock
1 : $4.70000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
22 A (Tc)
10V
148mOhm a 11A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
474
En stock
1 : $4.79000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
22 A (Tc)
10V
110mOhm a 9.7A, 10V
4.5V a 480µA
41 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 400 V
-
114W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3
TO-220-3
Demostración
de 193

22 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.