200mA (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	183,364 En stock	1 : $0.13000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02244 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	498,605 En stock	1 : $0.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02958 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	155,987 En stock	1 : $0.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03468 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	10V	3.5Ohm a 220mA, 10V	1.5V a 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	285,609 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02754 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 100mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	127,488 En stock	1 : $0.22000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03570 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	249,971 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03366 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	300,024 En stock	1 : $0.28000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04794 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUM002N02T2L MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	321,607 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.04182 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 200mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	7,687 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05040 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
RYM002N05T2CL MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	558,063 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05712 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
TN2404K-T1-E3 MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Vishay Siliconix	28,745 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.33212 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	240 V	200mA (Ta)	2.5V, 10V	4Ohm a 300mA, 10V	2V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	-	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7000 MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C onsemi	31,186 En stock	1 : $0.51000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4106FTA MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	7,240 En stock 708,000 Fábrica	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24990 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	5V, 10V	2.5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	35 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Microchip Technology	14,591 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.75000 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N, modo de implementación	MOSFET (óxido de metal)	450 V	200mA (Ta)	0V	20Ohm a 150mA, 0V	-	-	±20V	360 pF @ 25 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-243AA (SOT-89)	TO-243AA
BSS192,115 MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 Nexperia USA Inc.	1,843 En stock	1 : $1.03000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.28090 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	240 V	200mA (Ta)	10V	12Ohm a 200mA, 10V	2.8V a 1mA	-	±20V	90 pF @ 25 V	-	560mW (Ta), 12.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-89	TO-243AA
BSS138L MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	49,910 En stock	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03570 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	2.75V, 5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	2.4 nC @ 10 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	123,790 En stock	1 : $0.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03162 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.5V, 4.5V	2.2Ohm a 100mA, 4.5V	1V a 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
2N7000 MOSFET TO-92 60V 0.2A Diotec Semiconductor	58,130 En stock	4,000 : $0.04488 Cinta y caja 1 : $0.21000 Cinta cortada (CT)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta cortada (CT) Cinta y caja	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-92	Conductores formados TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RU1C002ZPTCL MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	128,533 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04095 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85
BSS138LT3G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	106,994 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03978 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SN7002NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 Infineon Technologies	3,562 En stock	1 : $0.23000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.03774 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SIPMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Última compra	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	1.8V a 26µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	45 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
XP231N0201TR-G MOSFET N-CH 30V 200MA Torex Semiconductor Ltd	10,837 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04284 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	200mA (Ta)	2.5V, 4.5V	5Ohm a 10mA, 4,5V	1.8V a 250µA	0.18 nC @ 10 V	±20V	6.5 pF @ 10 V	-	400mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BVSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	66,316 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04896 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	5V	3.5Ohm a 200mA, 5V	1.5V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	11,642 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06630 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	200mA (Ta)	0.9V, 4.5V	2.2Ohm a 200mA, 4.5V	800mV a 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
RU1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	1,532 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05202 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 2.5V	1.2Ohm a 200mA, 2.5V	1V a 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	UMT3F	SC-85

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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