200A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 88
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
Excluir
88Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 88
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK 8x8
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
38,869
En stock
1 : $3.04000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.14675
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
1.7mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 20 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK 8x8
SQJQ466E-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
2,156
En stock
1 : $3.26000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.26138
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200A (Tc)
10V
1.9mOhm a 10A, 10V
3.5V a 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
10210 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK 8x8
SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
11,317
En stock
1 : $3.43000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.36125
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.5mOhm a 20A, 10V
3.5V a 250µA
165 nC @ 10 V
±20V
14780 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
5 DFN
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
onsemi
1,819
En stock
1,500
Fábrica
1 : $1.72000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.62132
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
1.5mOhm a 50A, 10V
2V a 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
3.8W (Ta), 110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
8-PowerTDFN, 5 conductores
SOT-227-4, miniBLOC
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Littelfuse Inc.
196
En stock
1 : $26.27000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200A (Tc)
10V
5.5mOhm a 50A, 10V
4.5V a 250µA
152 nC @ 10 V
±20V
9400 pF @ 25 V
-
550W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
2,425
En stock
1 : $1.81000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.00400
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
7V, 10V
1mOhm a 100A, 10V
3.4V a 100µA
132 nC @ 10 V
±20V
7650 pF @ 25 V
-
167W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HSOF-5-1
5-PowerSFN
SOT-1023
PSMN2R0-55YLHX
PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
14,600
En stock
1 : $2.66000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.83079
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
2.1mOhm a 25A, 10V
2.2V a 1mA
184 nC @ 10 V
±20V
11353 pF @ 27 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SOT-1023, 4-LFPAK
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R7-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,340
En stock
1 : $2.67000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.84105
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
1.8mOhm a 25A, 10V
2.05V a 1mA
109 nC @ 10 V
±20V
7966 pF @ 20 V
Diodo Schottky (cuerpo)
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
SOT-1023
PSMN1R5-50YLHX
PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Nexperia USA Inc.
4,179
En stock
1 : $3.19000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.49467
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
1.75mOhm a 25A, 10V
2.2V a 1mA
181 nC @ 10 V
±20V
11143 pF @ 25 V
-
333W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SOT-1023, 4-LFPAK
PowerPAK 8x8
SQJQ404E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
8,000
En stock
1 : $3.20000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.26138
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.72mOhm a 20A, 10V
3.5V a 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
16480 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
405
En stock
1 : $3.38000
Cinta cortada (CT)
1,800 : $1.58538
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
200A (Tc)
6V, 10V
2.3mOhm a 100A, 10V
3.8V a 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HSOG-8-1
8-PowerSMD, Ala de gaviota
SUM70042M-GE3
SUM40014M-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Vishay Siliconix
4,876
En stock
1 : $3.85000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.59120
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
-
0.99mOhm a 20A, 10V
2.4V a 250µA
275 nC @ 10 V
±20V
15780 pF @ 20 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
TO-263AB
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Littelfuse Inc.
1,149
En stock
1 : $5.14000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
200A (Tc)
10V
4.2mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
360W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263AA
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-264
IXFK200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
Littelfuse Inc.
142
En stock
1 : $17.75000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200A (Tc)
10V
7.5mOhm a 100A, 10V
5V a 8mA
235 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 25 V
-
830W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
6,425
En stock
Activo
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
200A (Tc)
6V, 10V
2.3mOhm a 100A, 10V
3.8V a 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R9-40YSDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
932
En stock
1 : $2.62000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.54984
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.9mOhm a 25A, 10V
3.6V a 1mA
80 nC @ 10 V
±20V
6198 pF @ 20 V
Diodo Schottky (cuerpo)
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
450
En stock
1 : $2.76000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.93574
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
2.9mOhm a 20A, 10V
2.2V a 250µA
93 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 25 V
-
260W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-263-7
STH320N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
STMicroelectronics
925
En stock
1 : $4.76000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.25400
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.3mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 15 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
H2PAK-6
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
8-PowerDFN
FDBL0260N100
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
onsemi
3,815
En stock
12,000
Fábrica
1 : $6.02000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $2.76738
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200A (Tc)
10V
2.6mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
9265 pF @ 50 V
-
3.5W (Ta), 250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HPSOF
8-PowerSFN
H2PAK
STH410N4F7-2AG
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,093
En stock
1 : $6.82000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.85125
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.1mOhm a 90A, 10V
4.5V a 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
11500 pF @ 25 V
-
365W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDB0300N1007L
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
onsemi
1,079
En stock
800
Fábrica
1 : $10.73000
Cinta cortada (CT)
800 : $5.04763
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
200A (Tc)
10V
2.6mOhm a 27A, 10V
4V a 250µA
118 nC @ 10 V
±20V
8545 pF @ 50 V
-
3.8W (Ta), 250W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R9-40YSBX
PSMN1R9-40YSB/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,495
En stock
1 : $1.56000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.68110
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.9mOhm a 25A, 10V
3.6V a 1mA
78 nC @ 10 V
±20V
6297 pF @ 20 V
Diodo Schottky (cuerpo)
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
PSMNR82-30YLEX
PSMN1R7-40YLBX
PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,440
En stock
1 : $1.62000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.66346
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
4.5V, 10V
1.8mOhm a 25A, 10V
2.05V a 1mA
111 nC @ 10 V
±20V
8138 pF @ 20 V
Diodo Schottky (cuerpo)
194W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SC-100, SOT-669
DI110N15PQ-AQ
DI200N04PQ
MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM
Diotec Semiconductor
5,000
En stock
1 : $2.47000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.03688
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
1.3mOhm a 100A, 10V
4V a 250µA
92 nC @ 10 V
±20V
5768 pF @ 20 V
-
180W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-QFN (5x6)
8-PowerTDFN
STK615N4F8AG
STK615N4F8AG
AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
STMicroelectronics
574
En stock
1 : $4.84000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.75000
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
200A (Tc)
10V
0.48mOhm a 90A, 10V
4V a 250µA
162 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 25 V
-
390W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerLeaded (8x8)
4-PowerSFN
Demostración
de 88

200A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.