182 A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRF200P222 MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC Infineon Technologies	81 En stock	1 : $9.37000 Tubo	-	StrongIRFET™	Tubo	Discontinuo en Digi-Key	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	182 A (Tc)	10V	6.6mOhm a 82A, 10V	4V a 270µA	203 nC @ 10 V	±20V	9820 pF @ 50 V	-	556W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AC	TO-247-3
IXTA182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO263 Littelfuse Inc.	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchMV™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	182 A (Tc)	10V	5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	114 nC @ 10 V	±20V	4850 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263AA	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IXTA182N055T7 MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7 Littelfuse Inc.	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchMV™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	182 A (Tc)	10V	5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	114 nC @ 10 V	±20V	4850 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263-7 (IXTA)	TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
IXTH182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO247 IXYS	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchMV™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	182 A (Tc)	10V	5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	114 nC @ 10 V	±20V	4850 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247 (IXTH)	TO-247-3
IXTP182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB IXYS	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchMV™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	182 A (Tc)	10V	5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	114 nC @ 10 V	±20V	4850 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
IXTQ182N055T MOSFET N-CH 55V 182A TO3P Littelfuse Inc.	0 En stock	Obsoleto	-	TrenchMV™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	182 A (Tc)	10V	5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	114 nC @ 10 V	±20V	4850 pF @ 25 V	-	360W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-3P	TO-3P-3, SC-65-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.