18.7 A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SPB18P06PGATMA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK Infineon Technologies	1,608 En stock	1 : $1.85000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.57451 Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	18.7 A (Ta)	10V	130mOhm a 13.2A, 10V	4V a 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	81.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SPP18P06PHXKSA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 Infineon Technologies	463 En stock	1 : $2.25000 Tubo	SIPMOS®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	18.7 A (Ta)	10V	130mOhm a 13.2A, 10V	4V a 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	81.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
SPB18P06P MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK Infineon Technologies	0 En stock	1,000 : $0.57679 Cinta y rollo (TR)	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	18.7 A (Ta)	10V	130mOhm a 13.2A, 10V	4V a 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	81.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SPP18P06PHKSA1 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 Infineon Technologies	0 En stock	Obsoleto	SIPMOS®	Tubo	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	18.7 A (Ta)	10V	130mOhm a 13.2A, 10V	4V a 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	860 pF @ 25 V	-	81.1W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.